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低 C/N 比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
針對國內外低 C/N 城市污水處理中氮磷難以達標及能耗高的技術難題，本成果經過 10 余年的潛心研究與工程實踐，提出了 1 個原創理論與方法，突破了 3 項新技術應用的瓶頸，開發并集成了 4 個低 C/N 比城市污水脫氮除磷改良工藝及過程控制技術，共獲得 28 項授權的發明專利，發表論文 100 余篇 (SCI50 余篇 )，出版 2 本專著，獲 2 次全國優秀博士學位論文提名獎，2 項國家級火炬計劃項目。本成果為低 C/N 比城市污水連續流脫氮除磷提供了多角度、全方位的綜合性解決方案，填補了我國在此項技術研究領域的空白，形成了具有我國自主知識產權的污水脫氮除磷技術。
北京工業大學
2021-04-13
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
低C/N比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
北京工業大學
2021-04-14
TiO2/g-C3N4納米復合物用于可見光產氫
課題組依據共價鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類型，構筑了三類TiO 2
南方科技大學
2021-04-14
一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統
本發明公開了一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達系統。該系統由發射單本發明 公開一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統。包括信號饋入單元、光學色散單元和信號檢 測單元。信號饋入單元采用集束光纖將傳導的信號光饋入光學色散單元;光學色散單元包含兩組級聯的 準 Littrow 結構布局的單光柵色散系統;信號檢測單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內譜信號。在波長 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產生的 Stokes 振轉 Raman 譜中心波長為 386.8nm，對稱分布在兩 側的 O 支與 S 支譜各譜線在頻譜上等間距;本發明能提取 N2 分子振轉 Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線信號，實現對 N2 分子振轉 Raman 譜的分辨與檢測，同時能對 354.8nm 附近光信號產生大幅抑制。
武漢大學
2021-04-13
北京大學關于授予本科畢業生學士學位的補充規定
為做好學士學位的授予工作，根據《北京大學學位授予工作細則》的規定，對北京大學本科學生的學士學位授予工作做如下補充規定。
北京大學
2021-02-22
北京大學電感耦合等離子體化學氣相沉積公開招標公告
電感耦合等離子體化學氣相沉積招標項目的潛在投標人應在北京市豐臺區廣安路9號國投財富廣場6號樓1601室獲取招標文件，并于2022年07月11日14點00分（北京時間）前遞交投標文件。
北京大學
2022-06-21
大空間建筑分層空調冷負荷計算模型研究
基于區域熱質平衡理論，建立適合于大空間建筑的分層空調負荷計算模型，進行某大空間建筑夏季工況下的試驗測試研究，驗證室內垂直溫度分布的計算結果，比較同步求解模型計算的分層空調冷負荷和實際大空間建筑空調供冷量，在此基礎上，預測分層空調冷負荷在變工況下的變化趨勢，計算結果表明實際空調最大供冷量與模型計算結果相差14%,變工況的負荷變化趨勢符合實際變化規律。
南京工程學院
2021-01-12
南京師范大學計電院研究團隊在《Research》發表最新研究進展
金屬鹵化物鈣鈦礦半導體因其獨特的光學和電學性能而成為近年來的研究熱點。通過調整鹵素組分即可實現從藍到紅全波段可調的發光，是鈣鈦礦半導體展現出巨大應用前景的重要因素之一。
南京師范大學
2022-10-12
物科院趙云山教授在《Advanced Functional Materials》發表研究論文
物科院趙云山教授在低維材料熱電輸運領域取得重要進展。熱電材料通過將環境中廢熱直接轉為有效可利用的電能，為當前能源危機提供了一種可持續、綠色便捷的能源補給途徑，如何提高熱電材料熱電特性成為學者不斷討論和研究的話題。二維半導體材料作為后硅半導體時代重要部分，其具有較高載流子遷移率和較大的有效電子質量，其在熱電領域中應用近年來也引起了廣泛關注。在該工作中，研究人員報道了“能帶工程”可以顯著提高新型二維半導體材料PdSe2的熱電特性，其功率因子可高達1.5 mWm-1K-2。通過退火處理可以降低接觸電阻，同時能夠有效去除雜質缺陷和有機物殘余。研究人員把熱電器件在480K環境中退火4個小時，發現PdSe2導電性提高了將近10倍，同時電子載流子遷移率達到210 cm2V-1S-1，最終熱電因子提高了將近3倍。通過對比不同厚度的PdSe2樣品熱電特性，研究人員發現，越薄的PdSe2呈現出更好的導電和熱電特性。第一性模擬計算證實，隨著厚度降低，導帶中有額外的能帶出現，兩個能級發生了簡并，從而提供更多電子態密度和創造更多電子通道。考慮PdSe2晶格低對稱性導致的較低熱導率，研究人員預測室溫下其ZT可達0.1，優越于目前報道的其他二維半導體材料。此研究證實，熱退火處理和“維度工程”能顯著提高材料的新型二維半導體PdSe2熱電特性，從而為當前不斷涌現的二維半導體材料在低維熱電領域提供了新思路。該工作對于探索低維材料應用于物聯網自供電領域具有深遠意義。
南京師范大學
2021-02-01