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廈門大學電子科學與技術學院李澄副教授課題組指導本科生發表新型半導體光電器件衰減機制研究重要成果
研究者通過X射線光電子能譜證明界面修飾層對電子傳輸層與鈣鈦礦層缺陷的雙重鈍化作用；通過光、電信號的瞬態響應，證明苯丙氨酸層可提升界面處的載流子電荷轉移；通過本課題組創建的寬場熒光成像顯微鏡，實現了抑制碘缺陷移動的實時原位觀測。
廈門大學
2022-06-15
《自然·通訊》報道西安電子科技大學郝躍院士團隊研制出國際最高功率優值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現空穴超注入效應
近期，西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導體異質結二極管。
西安電子科技大學
2022-08-30