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針對氯醇法生產環氧丙烷過程中產生大量的廢水、廢渣，環境污染嚴重。開展了丙烯直接氧化制環氧丙烷研究，實現了催化劑由200ml到2L 、100L、2m 3 、10m 3 的工業化生產；不僅為千噸級中試裝置提供催化劑，而且還能滿足萬噸級工業化生產的需要，1500噸/年環氧丙烷中試裝置初步開工結果表明，雙氧水的轉化率在92%左右，環氧丙烷的選擇性可達到85%左右。通過了天津市科技創新資金領導小組辦公室組織的“1500噸/年丙烯直接環氧化制環氧丙烷”的結題驗收。正在進行萬噸級工業示范裝置的建設。

目前乙二醇（EG）主要生產路線是石油路線，即石油裂解得到乙烯，乙烯氧化制得環氧乙烷（EO），環氧乙烷水合制乙二醇。我國是一個缺油貧氣，煤炭資源相對豐富的國家。目前國內煤炭氣化技術已經較成熟，煤氣化產生的合成氣可以經草酸二甲酯加氫合成乙二醇，該工藝路線具有反應條件溫和，設備壓力等級和材質要求低，催化劑對環境污染小等優點，具有較好的發展前景。在石油價格不斷上漲的形勢下，這一技術的開發對我國的經濟發展具有重要的戰略意義，其經濟性也明顯優于石油路線。合成氣合成乙二醇新技術的工藝過程有三個反應，分兩步進行：首先一氧化碳與亞硝酸甲酯（MN）羰化偶聯合成草酸二甲酯（DMO），反應生成的一氧化氮與氧氣和甲醇反應生成亞硝酸甲酯，在反應體系中循環；第一步反應的產物草酸二甲酯再加氫制乙二醇（EG）。其中，亞硝酸甲酯羰化偶聯和草酸二甲酯加氫兩步反應通過氣-固催化反應完成。該技術反應自封閉循環，生產過程消耗CO、H2（經分離的合成氣），及氧氣，生成乙二醇產品和少量水，是原子經濟性較高的綠色化工路線。華東理工大學發揮化學工程專業優勢，與上海浦景化工技術有限公司和安徽淮化集團合作，完成了從催化劑到工業流程的工程開發過程，年產1000噸/年的中試裝置一次開車成功，各步反應的轉化率和選擇性均大于設計值，產品乙二醇質量指標達到優級品標準。目前在國內處于領先地位。

 一、成果簡介 饅頭、包子等傳統面制食品是我國重要的主食種類，在我國糧食加工領域占有非常重要的位置。但是，饅頭和包子等生產規模小，輻射半徑小。主要原因在于除了冷凍外，缺乏適當的保鮮技術。而且饅頭和包子冷凍后用微波加熱較困難，口感也受到嚴重影響。因此，饅頭和包子的生產市場受到明顯影響。本技術采用申請了國家發明專利的技術對小麥在制粉前進行滅菌和滅蟲處理，大幅度降低面粉微生物含量。同時，采用自動化生

一、成果簡介 目前，液態乳是我國乳制品市場的主要產品，奶粉次之，乳制品存在同質化的問題。其中，干酪僅僅占乳制品的0.2%，遠遠落后于乳品發達國家60%的市場比重。同時，我國市場的干酪品種主要為進口天然干酪，因其價格偏高以及濃烈的發酵型風味難以被消費者所接受。因此，研究適合國人的干酪產品，勢必會推動干酪產 業在中國的發展。相比天然干酪，再制干酪具有成本較低，風味柔和等優勢，是符合我國消費者需求的

產品詳細介紹CNC-100型仿型制樣機（啞鈴制樣機，拉伸樣條制樣）關鍵詞：仿型，制樣機，拉伸，彎曲CNC-100型仿形制樣機是一種先進的微機控制的自動銑割機械。儀器可快速制樣，按用戶要求的樣品尺寸快速切割實驗室用測試試樣，使用者可在計算機界面實時觀察到切割過程。儀器內置相關標準樣品加工程序和軟件，可用于各種實驗室根據執行標準的拉伸，壓縮，彎曲及沖擊測試樣條的自動加工設備。特別適應于管材生產企業以及產品質量監督檢驗所、建筑科學院等對塑料的功能，性能測試時的標準樣條的制取的專用和首選設備。一、符合標準：1、滿足GB-T 8804.2-2003 熱塑性塑料管材 拉伸性能測定2、符合 ISO 6259-3: 1997《 熱塑性塑料管材能測定第 3部分: 聚烯烴管材)3、滿足GB/T1043.1-2008塑料簡支梁沖擊性能的測定 4、符合(PVC-HI)管材(ISO 6259-2:1997,IDT) 等國內標準和國際標準二、主要用途：1、適合用于制備聚乙烯（PE）的熱熔和電熔焊接試件試樣的制備2、 熱塑性塑料管材 拉伸性能測定3、硬聚氯乙烯(PVC-U)、氯化聚氯乙烯(PVC-C)和高抗沖聚氯乙烯(PVC-HI)管材的切割制樣4、塑料，有機玻璃，玻璃鋼，符合材料及各種非金屬的沖擊缺口樣條，拉伸實驗啞鈴樣條，壓縮彎曲等標準樣條。5、非金屬（聚乙烯）管道焊接考試專用《C型拉伸制樣機》三、產品性能特點1、制樣精度高，速度快，超寬兼容性，切面光滑2、整機設計合理，結構緊湊，采用全鑄鉛結構，且床身經過時效處理，消除殘余內應力，剛性強、精度高。3、使用AMT高精預緊直線導軌，使運行更平穩，高速無噪音。4、螺桿采用滾石雙螺母預緊滾珠絲桿，確保整機運行精度。四、主要技術指標1、操作方式：一鍵多裝，自動制樣2、X/Y/Z運動定位精度：0.01/0.01/0.01mm3、X/Y/Z重復定位精度：0.008/0.08/0.01mm4、X/Y/Z有效行程：300×300×130mm5、工作臺尺寸：400×400mm6、工作臺最大承重：120Kg7、主軸轉速：0-24000rpm8、卡頭規格：ER169、快速移動速度：10m/min10、最高進給速度4m/min11、空間：4-50mm11、切面效果：光滑12、工作電壓：220V/50Hz制作好樣品

鎂合金是作為一種輕質金屬結構材料，具有密度低、比強度和比剛度高、阻尼性能好、電磁屏蔽效果好、鑄造性能優良和加工性能好的優點，獲得了廣泛的應用前景。在鎂合金產業化應用過程中，稀土往往作為制備過程中的優化劑來改善合金的熔體純凈度、晶粒細化度及產品外觀質量，同時可大幅度提升合金的強度與延伸率。但是目前普遍使用的稀土鎂合金強度低導熱性能差，限制了其大規模應用。因此，開發具有高導熱性、高強度的鎂合金對于擴大鎂合金在 5G 通信、3C 器件及汽車產品等需要高散熱領域的應用，具有極其重要的意義。 高導熱高強度鎂合金是在一定配比的 Mg-Zn-Zr 系列合金中添加 Nd 稀土金屬，Nd 的添加可以改善合金的熔體純凈度、晶粒細化度及產品外觀質量，并有效析出基體中的 Zn和 Zr 原子，有效提升合金的導熱性能和力學強度。鎂合金的導熱性能可以通過導熱率來體現，力學性能可以通過抗拉強度，屈服強度體現。高的導熱性能可以保證合金在散熱器件領域的熱導性能指標，使器件可以具有較快的熱量傳輸能力，使設備內部熱量及時排出;高的力學強度可以保證合金作為結構件的力學性能指標，使其作為結構件更為可靠。相較于傳統鎂合金，團隊通過添加 Nd 稀土元素可以有效提升鎂合金的導熱性能和力學強度，Nd 一般分布于晶界，可以弱化鎂合金的織構，提升鎂合金各晶粒之間的協調能力:而且 Nd 在鎂合金成型過程中可以與 Zn 原子結合形成熱穩定的第二相，促進動態再結晶提升鎂合金的強度:此外，Nd 元素的添加會與基體中的 Zn 元素結合，減弱基體中的晶格畸變，提升鎂合金的熱導率。

本發明公開了一種用于多晶硅鑄錠爐的隔熱塊，設置在多晶硅鑄錠爐的坩堝底部外周，用于坩堝加熱或冷卻多晶硅過程中的隔熱保溫，該隔熱塊為中空方形筒體結構，筒體筒壁為中空夾層結構，其中內壁用于包覆設置在坩堝底部的熱交換塊外周壁面，且該內壁與所述熱交換塊外周壁面具有間隙，所述外壁用于與設置在坩堝外圍的豎直隔熱板固定接觸，所述坩堝中心線、熱交換塊中心線以及隔熱塊中心線重合，且所述隔熱塊頂部低于熱交換塊頂部。本發明還公開了具有

首次使用炔烴作為卡賓前體完成了一例不對稱Si-H鍵插入反應，高效構筑了一類新型手性有機硅化合物。該反應使用手性羧酸雙銠催化劑，首先促進羰基-烯-炔底物發生分子內環化現場生成雙芳基金屬卡賓，該金屬卡賓中間體進而對硅烷的Si-H鍵發生高對映選擇性的插入反應，給出相應的手性有機硅化合物。該反應的條件溫和，底物適用范圍廣，大部分產物的ee值都能達到90%以上。所得的手性烯丙基硅產物能夠進一步轉化，例如發生烯丙基乙酰化反應，對映選擇性能夠得到很好的保持，因此在有機合成中具有一定的應用潛力。動力學實驗表明，反應對雙銠催化劑、硅烷展現出一級動力學效應，對底物則表現出零級動力學特征，說明銠卡賓對Si-H鍵的插入步驟是反應的決速步，這與動力學同位素實驗的結果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烴作為卡賓前體同樣可以發生高對映選擇性的Si-H鍵插入反應，結合炔烴化學在從簡單原料構筑復雜產物上的優勢，為結構多樣性有機硅化合物的合成提供了新的方向。

傳統的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應紫外波段的光信號，這是因為紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術的日趨發展，人們越來越需要對紫外波段進行更深的探測分析與認識。紫外探測技術是繼激光探測技術和紅外探測技術之后發展起來的又一軍民兩用光電探測技術。幾十年來，紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應用最廣泛的光電探測器件。當前最先進的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD、CMOS具有靈敏度強、噪聲低、成像質量好等優點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應都很弱。成像器件的這種紫外弱響應限制了其在先進光譜儀器及其他領域紫外波段探測的使用。 在技術發達國家,寬光譜響應范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經廣泛應用于高檔光譜儀器中。上世紀中葉美國Varian公司開發的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達0.01nm,光波長在600nm和300nm時QE分別達到了84%和50%；美國熱電公司開發的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應范圍更是達到165～1000nm，在200nm時的分辨率達到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達0.0035nm,紫外響應拓展到120nm的遠紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發射光譜儀一維色散和22個CCD檢測器設計，其光譜響應范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達0.002nm,光譜響應范圍為189—900 nm。總而言之，發達國家在寬光譜響應和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領域已取得相當的成就。主要技術指標和創新點（1）  我們在國內首次提出紫外增強的硅基成像器件，并在不改變傳統硅基成像探測器件的結構的基礎上，利用鍍膜的方法增強成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應，使其光譜響應范圍拓寬到190—1100nm，實現對190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達到0.1V/lex.s。（3）  增強成像探測器件的紫外響應的同時，盡量不削弱探測器件對可見波段的響應。（4）  選用適合的無機材料，克服有機材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設計與傳統CCD、CMOS結合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應范圍，在科學實驗和物質分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設計樣品能取代傳統CCD、CMOS，應用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實現紫外探測和紫外分析。具有較強的市場推廣應用價值。