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產(chǎn)品詳細(xì)介紹AM300通用系列變頻器AM300通用系列變頻器性能概述?控制方式 開(kāi)環(huán)矢量控制（SVC）、V/F控制、閉環(huán)矢量（VC）、開(kāi)閉環(huán)轉(zhuǎn)矩控制、位置環(huán)控制?調(diào)速范圍 1：100 （SVC）、1：1000（VC）?穩(wěn)速精度 ±0.5%（SVC）?軟硬件抑制強(qiáng)干擾和誤報(bào)故障，確保無(wú)跳閘運(yùn)行?矢量化VF控制：自動(dòng)轉(zhuǎn)矩提升；手動(dòng)轉(zhuǎn)矩提升0.1% ~ 30.0%，可自定義VF曲線?自動(dòng)限流：對(duì)運(yùn)行期間電流自動(dòng)限制，防止頻繁過(guò)流故障跳閘，實(shí)現(xiàn)無(wú)跳閘運(yùn)行?矢量控制下低頻大轉(zhuǎn)矩穩(wěn)定運(yùn)行，無(wú)速度傳感器矢量控制下優(yōu)異的控制性能?可選擇LED、LCD鍵盤(pán)，支持雙鍵盤(pán)同時(shí)操作?雙繼電器輸出、兩路0(4)~ 20 mA ,0(2) ~ 10V模擬量可選輸出?可靠的轉(zhuǎn)速追蹤功能，可自動(dòng)識(shí)別旋轉(zhuǎn)電機(jī)速度和方向，用于旋轉(zhuǎn)風(fēng)機(jī)直接啟動(dòng)?完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，可按照客戶要求定制開(kāi)發(fā)?電壓等級(jí) 220V、380V、690V、1140V?超大功率驅(qū)動(dòng)技術(shù)，單機(jī)380V、680KW，并機(jī)1400KW?電網(wǎng)瞬間掉電不停機(jī)?轉(zhuǎn)矩控制運(yùn)行：端子支持速度、轉(zhuǎn)矩控制模式切換?高可靠性：成熟可靠驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路設(shè)計(jì)、抗干擾設(shè)計(jì)?閉環(huán)矢量控制、帶速度環(huán)、電流環(huán)、位置環(huán)、可做零伺服控制?自動(dòng)載波調(diào)整：根據(jù)負(fù)載特性，自動(dòng)調(diào)整載波頻率?自動(dòng)電壓調(diào)整：當(dāng)電網(wǎng)電壓變化時(shí)，能自動(dòng)保持輸出電壓恒定?自動(dòng)節(jié)能運(yùn)行：根據(jù)負(fù)載情況，自動(dòng)優(yōu)化V/F曲線，實(shí)現(xiàn)節(jié)能運(yùn)行

在大面積柔性襯底上直接生長(zhǎng)集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長(zhǎng)過(guò)程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無(wú)法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長(zhǎng)模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長(zhǎng)策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對(duì)特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線生長(zhǎng)界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長(zhǎng)：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長(zhǎng)速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長(zhǎng)速度提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。值得一提的是，即便在此高速生長(zhǎng)過(guò)程中，IPSLS納米線的生長(zhǎng)路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過(guò)調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對(duì)納米線生長(zhǎng)動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對(duì)生長(zhǎng)液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對(duì)超長(zhǎng)納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長(zhǎng)高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開(kāi)關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長(zhǎng)策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長(zhǎng)和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。

（專利號(hào)：ZL 201510578249.5） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種Mg2Ni型三元Mg?Ni?Cu可逆儲(chǔ)氫材料及其制備方法，屬于儲(chǔ)氫技術(shù)領(lǐng)域。該儲(chǔ)氫材料成分范圍為：Mg占合金原子百分比為66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比為33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比為0～12％，原料的純度均不低于99.5％。該儲(chǔ)氫材料制備的關(guān)鍵在于首先制備高化學(xué)穩(wěn)定性的Ni(Cu)固溶體粉末，然后將固溶體粉末和Mg粉按比例混合燒結(jié)得到高純Mg2Ni型三元Mg20Ni10?xCux(0<x≤1.2)可逆儲(chǔ)氫合金。本發(fā)明涉及的材料具有高的儲(chǔ)氫容量(3.5wt％以上)和良好的低溫放氫動(dòng)力學(xué)等特性，Cu替代貴金屬Ni降低了材料的使用成本。本發(fā)明涉及的制備方法具有工藝溫和、簡(jiǎn)單、易控，生產(chǎn)設(shè)備投資少，生產(chǎn)過(guò)程無(wú)污染，易于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的顯著優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于CZT變換和剪除分裂基快速傅里葉變換的三維攝像聲納波束形成方法，包括以下步驟：分別計(jì)算每個(gè)換能器接收到的聲波中，與載波頻率fk對(duì)應(yīng)的第k個(gè)DFT變換系數(shù)；利用所得變換系數(shù)，構(gòu)建矩陣C；對(duì)應(yīng)方位角方向，對(duì)矩陣C的每一列，進(jìn)行一維離散卷積運(yùn)算，得到P×N的矩陣MD；對(duì)應(yīng)仰視角方向，對(duì)矩陣MD的每一行，進(jìn)行一維離散卷積運(yùn)算，得到P×Q的矩陣ME；利用矩陣ME，構(gòu)建矩陣MF；計(jì)算矩陣MF中每個(gè)元素的模，得到三維攝像聲納波束。本發(fā)明在FFT運(yùn)算過(guò)程中識(shí)別和去除不必要的運(yùn)算操作，有效降低了三維攝像聲納波束形成方法所需的運(yùn)算量。