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本實用新型提供了一種具有翻轉芯片功能的芯片吸取裝置，包括 Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機構、翻轉驅動機構、芯片吸取機構，Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機構將芯片吸取機構移動到適宜高度，翻轉驅動機構驅動芯片吸取機構旋轉，芯片吸取機構包括直線導向運動部件和芯片吸取元件，直線導向運動部件內(nèi)設有直線軸承和彈簧，直線導向軸從上往下穿過直線軸承和彈簧，其端部連接芯片吸取元件，由于彈簧的緩沖作用，芯片吸取元件將芯片吸住后跟隨芯片上升一定的高度，再在翻轉驅動機構的作用下旋轉到達芯片供給位置。本實用新型一方面避免了非接觸式吸取的不可靠

本發(fā)明公開了一種基于雙路電壓信號驅控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅控信號輸入端口、以及第二驅控信號輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數(shù)，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結構，且上下層之間順次設置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向層、液晶層、第二液晶定向層、網(wǎng)孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網(wǎng)孔狀共地電極板分

本發(fā)明公開了一種雙路電壓信號驅控的面陣電控液晶光發(fā)散微透鏡芯片，包括電控液晶散光微透鏡陣列、第一驅控信號輸入端口和第二驅控信號輸入端口，面陣電控液晶散光微透鏡為 m×n 元，其中，m、n 均為大于 1 的整數(shù)，電控液晶散光微透鏡陣列采用液晶夾層結構，且下上層之間順次設置有第一基片、共地電極層、第一液晶定向層、液晶層、第二液晶定向層、頂面圖案化電極層、頂層電極間絕緣層、頂面電極層、第二基片，共地電極層和頂面電極層分別固

光收發(fā)芯片是光收發(fā)模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網(wǎng)絡物理層的主要基礎芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅動器三種。它們被用于光纖傳輸?shù)那岸耍瑏韺崿F(xiàn)高速傳輸信號的光電、電光轉換，這些功能被集成在光纖收發(fā)模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發(fā)操作系統(tǒng)及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設，并致力于構建區(qū)別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態(tài)體系 。

產(chǎn)品詳細介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實現(xiàn)高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實現(xiàn)高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實現(xiàn)高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負載提供高達12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度

針對生化芯片加工新技術,根據(jù)生化樣品特征，按照整體、高效設計，制備 出生化芯片，具有適應面廣、直觀，無創(chuàng)，高效等優(yōu)點，在生物醫(yī)學、食品安全 生化芯片加工等方面都具有廣泛的應用前景。

成果介紹人體器官芯片的成功研發(fā)將有力推動我國生物醫(yī)療用芯片制造技術的發(fā)展，建立全新的生命科學實驗方法；能夠有效減少新藥研發(fā)等對動物和臨床實驗的依賴，加速新藥研發(fā)的流程并減少研發(fā)投入技術創(chuàng)新點及參數(shù)微縮人工器官，以實現(xiàn)對人體器官功能的模擬。器官芯片高內(nèi)涵裝置的設計和制造，開發(fā)了標準芯片系統(tǒng)及器官特異性生物材料市場前景疾病模型，藥物評估，個性化醫(yī)療。

一、領航一號 JFM7101 基帶處理集成電路采用 SOC 設計,支持 10 路獨立接收通道和 1 路發(fā)送通道,內(nèi)部集成高性能 16 位數(shù)字信號處理器,支持多種通信接口,可實現(xiàn)北斗一代衛(wèi)星 信號的接收與發(fā)送、出入站協(xié)議處理及接口通信等功能; 二、領航二號 JFM7201 基帶處理集成電路 支持北斗二號B3、B1頻點/GPS-L1頻點信號的捕獲跟