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制作高性能、低成本電池器件的目標而采用簡式構(gòu)型器件新思路
實現(xiàn)制作高性能、低成本電池器件的目標而采用簡式構(gòu)型器件新思路的系列研究，論文第一作者為程春課題組博士生黃毓嵐。 課題組總結(jié)了傳統(tǒng)鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）在降低缺陷密度和優(yōu)化能級方面的常用方法，以簡化其結(jié)構(gòu)。此外，課題組對不同的無電子傳輸層或者無空穴傳輸層PSCs的發(fā)展進行了分類和討論，包括它們的工作原理、實現(xiàn)技術(shù)、尚存的挑戰(zhàn)和未來的展望。
南方科技大學(xué)
2021-04-14
光直線傳播演示器（直線傳播的光）
460mm×190mm×200mm，圓片尺寸φ120mm。光路中的遮光片可上下、左右、前后移動，帶光源。在室內(nèi)一般光照環(huán)境能使用。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
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功率MOS器件設(shè)計和制備技術(shù)
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團隊在功率DMOS領(lǐng)域累計授權(quán)發(fā)明專利超過50項，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號近百種。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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毫米波新基片結(jié)構(gòu)器件
2016國家自然科學(xué)獎二等獎，基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)是近十幾年來微波毫米波學(xué)界發(fā)展起來的一種新型高性能平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)。基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)具有極低的電磁泄露和互擾，其品質(zhì)因素和功率容量遠高于傳統(tǒng)平面?zhèn)鬏斁€。國內(nèi)外數(shù)百所大學(xué)和研究機構(gòu)都對其開展了大量研究，它也成為微波毫米波領(lǐng)域最受關(guān)注的研究分支之一。 項目組作為國際上該領(lǐng)域的主要貢獻者之一，以基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的工作機理與創(chuàng)新應(yīng)用為主線，對這類結(jié)構(gòu)及器件的傳輸特性、損耗機理等基礎(chǔ)科學(xué)問題進行了深入研究，提出了半模基片集成波導(dǎo)等多種新型平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，發(fā)展了相應(yīng)的設(shè)計方法，并發(fā)明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實際應(yīng)用。
東南大學(xué)
2021-04-11
全固態(tài)太赫茲前端關(guān)鍵器件
針對太赫茲高分辨雷達和通信系統(tǒng)應(yīng)用需求，研究了常溫固態(tài)太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的總體方案和實現(xiàn)技術(shù)，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓撲結(jié)構(gòu)，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優(yōu)化方法，解決了固態(tài)太赫茲關(guān)鍵技術(shù)的工藝難題，突破太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的關(guān)鍵技術(shù)，打破國外技術(shù)封鎖，提高自主創(chuàng)新能力，形成自主知識產(chǎn)權(quán)，相關(guān)技術(shù)水平達到國際先進，為我國太赫茲技術(shù)的發(fā)展和太赫茲系統(tǒng)的應(yīng)用奠定技術(shù)基礎(chǔ)，提供技術(shù)支撐。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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微電子器件高效冷卻技術(shù)
小試階段/n通過發(fā)展被動式和主動式冷卻技術(shù)能實現(xiàn)典型移動裝備和電子器件的空間冷卻需求，具體包括熱壓/風(fēng)壓自然換熱冷卻、相變熱管換熱冷卻等被動式技術(shù)，半導(dǎo)體熱電制冷冷卻、噴射冷卻和合成射流冷卻等主動式冷卻技術(shù),獲省自然科學(xué)一等獎。成果市場前景：有散熱需求，就有應(yīng)用前景。
武漢大學(xué)
2021-01-12
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電子器件的高效散熱技術(shù)
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件的熱流密度越來越高，散熱已成為其技術(shù)發(fā)展的主要障礙之一。本項目采用直接液體浸沒的沸騰換熱方式，開發(fā)了高效沸騰換熱微結(jié)構(gòu)面，可極大幅度提高散熱性能，在電子器件溫度低于其正常操作上限溫度85oC的條件下，散熱熱流密度可達150W/cm2以上。沸騰強化換熱技術(shù)往往在微重力條件下由于氣泡難以脫離導(dǎo)致性能惡化而無法應(yīng)用。近期在微重力條件的實驗表明該技術(shù)即使在微重力條件下，依然能充分利用熱毛細現(xiàn)象進行強化換熱，顯著提高換熱性能。因此，該技術(shù)可應(yīng)用于地面和空間的電子器件高效散熱。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
節(jié)水灌溉器件的快速開發(fā)技術(shù)
滴灌是節(jié)水效率最高并能實現(xiàn)水肥自動灌溉的精準農(nóng)業(yè)灌溉技術(shù)，在蔬菜、花卉、棉花、果樹等種植中廣泛應(yīng)用。滴灌系統(tǒng)的灌水器在使用時容易發(fā)生堵塞一直是國際上的難題。本技術(shù)針對這一難題，提出了灌水器基于迷宮流道流動特性的抗堵設(shè)計和一體化開發(fā)方法，開發(fā)了具有自主版權(quán)的專用設(shè)計軟件。應(yīng)用該軟件與快速成形技術(shù)開發(fā)出系列化的新型灌水器，使開發(fā)周期顯著縮短，單循環(huán)開發(fā)時間由原來的3～5個月縮短到3～5天，而開發(fā)成本由5萬元左右降低到2千元以下。相關(guān)研究成果獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團隊創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
高速光收發(fā)器件與模塊
可以量產(chǎn)/n該項目帶寬寬，可以覆蓋Ku以下所有頻段，并向Ka頻段發(fā)展；線性度高，模擬通信不失真；動態(tài)范圍大，激光輸出功率高，相對強度噪聲低。可靠性高，全金屬化耦合焊接，提高了可靠性和壽命。市場預(yù)期：該項目產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域是通信，目前國內(nèi)市場需求大于300億人民幣。隨著國家寬帶戰(zhàn)略的實施和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，未來5-10年將以大于30%/年的速度遞增。到2020年將大于1000億元人民幣。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12