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成果簡介：利用高速旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子產(chǎn)生的高離心力對在高承載環(huán)境下使用的器件進(jìn)行加載試驗，采用成熟試驗技術(shù)方法和檢測手段，實(shí)現(xiàn)對微小型機(jī)械結(jié)構(gòu)件和電子器件、加速度傳感器在高承載環(huán)境下的高載荷試驗和標(biāo)定。該設(shè)備最高加速度實(shí)驗值：8萬g，最高加速度標(biāo)定值：1萬g，實(shí)驗對象最大回轉(zhuǎn)半徑：50mm，加速度實(shí)驗精度：3%，標(biāo)定精度：6%，實(shí)驗對象尺寸：實(shí)驗件最大尺寸長度≤18mm，實(shí)驗件三維尺寸處于直徑D=18，高度H=15的圓柱體范圍里。適合鋼、鋁及銅質(zhì)等各種材質(zhì)加工的，在高承載環(huán)境下工作的機(jī)械結(jié)構(gòu)件、電子元器件

項目團(tuán)隊在印刷制造領(lǐng)域有多年的研究基礎(chǔ)，形成“基礎(chǔ)研究-關(guān)鍵技術(shù)-應(yīng)用突破”的全鏈條研究方式，構(gòu)建了印刷電子低成本制造技術(shù)及應(yīng)用集成模式，發(fā)展了系列先進(jìn)防偽功能油墨、高性能導(dǎo)電油墨和活性儲能功能油墨，并實(shí)現(xiàn)了其在光學(xué)防偽、智能服裝以及智能包裝等領(lǐng)域的應(yīng)用推廣。 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 項目團(tuán)隊在印刷制造領(lǐng)域有多年的研究基礎(chǔ)，形成“基礎(chǔ)研究-關(guān)鍵技術(shù)-應(yīng)用突破”的全鏈條研究方式，構(gòu)建了印刷電子低成本制造技術(shù)及應(yīng)用集成模式，發(fā)展了系列先進(jìn)防偽功能油墨、高性能導(dǎo)電油墨和活性儲能功能油墨，并實(shí)現(xiàn)了其在光學(xué)防偽、智能服裝以及智能包裝等領(lǐng)域的應(yīng)用推廣，成果達(dá)到國際領(lǐng)先水平。發(fā)表SCI論文80余篇，出版專著4部，授權(quán)專利23項（發(fā)明專利20項）。本成果的關(guān)鍵技術(shù)與創(chuàng)新點(diǎn)主要體現(xiàn)在四個方面： （1）基于上/下轉(zhuǎn)換多模式光學(xué)功能油墨化策略，發(fā)展了新型長效功能防偽油墨，將傳統(tǒng)的單一顏色印刷光學(xué)防偽圖案升級為全彩色防偽圖像，在國際上率先實(shí)現(xiàn)了特定波長防偽和機(jī)密印刷圖文信息隱藏與編碼。實(shí)現(xiàn)了一系列包括近紅外激發(fā)的多色可見上轉(zhuǎn)換發(fā)光防偽功能油墨、紫外光激發(fā)多色下轉(zhuǎn)換發(fā)光防偽油墨以及兼具上/下轉(zhuǎn)換發(fā)光特性的防偽功能油墨的配制，能夠滿足多種印刷方式（絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷以及R2R印刷），在多種包裝基底材料上（PET、紙張、織物等）具有良好的印刷效果和防偽應(yīng)用。 （2）創(chuàng)新的采用同時從電極結(jié)構(gòu)內(nèi)部和功能油墨外部優(yōu)化的雙重策略，利用大面積絲網(wǎng)印刷技術(shù)實(shí)現(xiàn)了柔性超級電容器的全印刷工藝制備，率先揭示了印刷工藝對器件性能影響的關(guān)鍵決定機(jī)制和內(nèi)在工作機(jī)理。實(shí)現(xiàn)了多種高性能儲能材料，如金屬氧化物，導(dǎo)電聚合物，MOF類功能材料及其復(fù)合材料的制備與油墨化處理，所制備的印刷柔性超級電容器的比電容可達(dá)到16.8 mF cm-2（0.1 mA cm-2），同時具有長的循環(huán)穩(wěn)定性（＞5000次），優(yōu)異的能量密度和功率密度（0.5 mW cm-2）。本項目提出的印刷電子技術(shù)代表了超級電容器制造業(yè)的一種范式轉(zhuǎn)變，它為柔性超級電容器提供了一系列簡單、低成本、省時、多功能和環(huán)保的制造技術(shù)，在未來電子產(chǎn)品中具有巨大的應(yīng)用潛力。 （3）發(fā)展了系列功能傳感油墨，實(shí)現(xiàn)了高度靈敏和循環(huán)穩(wěn)定的柔性傳感器的全印刷制造，揭示了功能導(dǎo)電油墨組分與配比對傳感性能的影響規(guī)律以及印刷柔性傳感器的傳感機(jī)理，系統(tǒng)評估了印刷柔性傳感器的傳感性能，所制備的印刷傳感器的應(yīng)力傳感范圍可達(dá)到155%，最大靈敏度為6.3×104，最快響應(yīng)速度可達(dá)到18 ms，循環(huán)穩(wěn)定性＞1000次，并且成功應(yīng)用于運(yùn)動、健康監(jiān)測和智能包裝中。 （4）完善了全印刷制造相關(guān)理論，解決了印刷制造薄膜類電子器件結(jié)構(gòu)精度低共性問題，利用多種印刷技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能柔性/可拉伸電極和柔性加熱器件的圖案化制造，研究并揭示了其運(yùn)行工作機(jī)理，實(shí)現(xiàn)了部分印刷電子器件的集成與成果轉(zhuǎn)化。

研制開發(fā)并形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)、環(huán)保、高效、可靠的廢棄線路板無損拆解技術(shù)、粉碎技術(shù)、分離技術(shù)、再利用技術(shù)等相關(guān)技術(shù)，設(shè)計開發(fā)具有中國特色的廢棄線路板回收處理及再利用整體工藝及生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)對廢棄線路板的無污染回收處理及再利用。該設(shè)備是一種環(huán)保、節(jié)能、高效的廢棄線路板元器件無損拆解設(shè)備，由傳動、加熱、振動、除煙味等單元構(gòu)成，該設(shè)備主機(jī)長為3.5m，寬0.8m，高為1.5m，生產(chǎn)能力為300～700塊線路板/小時。在第三屆北京發(fā)明創(chuàng)新大賽中，“線路板無損拆解設(shè)備”獲得節(jié)能環(huán)保專項獎和大賽銀獎。拆解效率高，溫度可控，節(jié)能效果好，元器件無損拆解率高；設(shè)備環(huán)保；功率小，便于中小規(guī)模生產(chǎn)；加工操作簡單；故障診斷、自我保護(hù)和聲光報警功能。主要性能指標(biāo)如下。1. 功率：4KW 2. 拆解率：98%3. 電壓：220 4. 煙塵、氣味：過濾效率99.9%5. 產(chǎn)量： 100~200 kg/h 6. 主機(jī)外形尺寸： 3500×80×1500 7. 整機(jī)重量：1.0臺/t 廢棄線路板基板的主要組成是纖維強(qiáng)化熱固性樹脂，由于熱固性塑料本身的特點(diǎn)，除了焚燒回收熱值，還有作為粉末用于涂料、鋪路材料等重新利用，這些再生品質(zhì)量低下、檔次不高，而且在經(jīng)濟(jì)投資和資源利用方面也是不合理的。本項目根據(jù)廢棄線路板基板原材料的不同，進(jìn)行分別粉碎處理，將粉碎后的PCB粉末作為填料或增強(qiáng)體，以不飽和聚酯、環(huán)氧樹脂等熱固性材料作為基體，采用熱壓成型工藝，最終生產(chǎn)出多種復(fù)合材料，根據(jù)復(fù)合材料的不同性能，可以制成多種產(chǎn)品應(yīng)用在廣泛的領(lǐng)域里，代木、代鋼、代塑、代瓷制品，所以具有明顯的社會效益。該技術(shù)解決了固體廢棄物帶來的環(huán)境污染問題，又節(jié)約了一次資源，降低了制造成本，具有良好的環(huán)境、社會、經(jīng)濟(jì)三大效益。主要性能指標(biāo)如下。抗彎強(qiáng)度/MPa 沖擊強(qiáng)度/ Kg?m-2密度/ g?cm-3使用溫度/℃ 成本價格/元/噸 廢棄PCB粉體/短切玻璃纖維/不飽和聚酯150 17.92 1.59 50 4000 廢棄線路板粉體/環(huán)氧樹脂/偶聯(lián)劑134.1 11.67 1.54 139.1 7000 申請專利：1. 吳國清，張宗科. 一種應(yīng)用于廢棄線路板無損拆解的處理設(shè)備及方法，專利號：200810224887.7 2. 吳國清，張宗科. 一種線路板夾具體，200810224853.8 3. 吳國清，張宗科，趙玉振. 廢棄線路板的回收及再利用方法. 200910091996.0 4. 吳國清，趙玉振. 廢棄電子元器件的回收及再利用方法. 200910091995.6 

本發(fā)明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準(zhǔn)備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經(jīng)步驟（3）處理后的器件上沉積有機(jī)介電層單元；（5）在所述有機(jī)介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進(jìn)行熱處理，以消除界面應(yīng)力和器件的壓應(yīng)力；（7）沉積有機(jī)半導(dǎo)體層單元。本方法通過一種機(jī)械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨率。

本發(fā)明提供的一種面向物聯(lián)網(wǎng)的砷化鎵基具有熱電轉(zhuǎn)換功能的MESFET器件，主要包括MESFET和熱電偶。MESFET選擇半絕緣的GaAs作為襯底，通過GaAs工藝和MEMS表面微機(jī)械加工實(shí)現(xiàn)具有能量轉(zhuǎn)換功能的MESFET。在源漏柵的金層四周制作一層二氧化硅，化學(xué)機(jī)械拋光后，制作熱電偶的金屬Au型熱電臂和砷化鎵型熱電臂，蒸金連接兩種熱電偶臂，將源漏柵的熱電偶電極進(jìn)行金屬連線，留下兩個熱電偶電極作為塞貝克電壓的輸出極。 該砷化鎵基具有熱電轉(zhuǎn)換功能的MESFET器件根據(jù)塞貝克效應(yīng)，可以將器件工作產(chǎn)生的熱能轉(zhuǎn)換為電能，實(shí)現(xiàn)能量收集的同時緩解了散熱問題。通過檢測輸出塞貝克電壓的大小來實(shí)現(xiàn)對熱耗散功率大小的檢測。

本發(fā)明公開一種同質(zhì)結(jié)型感存算集成器件及其制備方法。該同質(zhì)結(jié)型感存算集成器件包括：柔性襯底；底電極，其為有機(jī)導(dǎo)電聚合物，形成在所述柔性襯底上；第一功能層，其為經(jīng)退火后的三元素n型氧化物半導(dǎo)體薄膜，具有光電響應(yīng)的結(jié)晶相，形成在所述底電極上；第二功能層，其為未經(jīng)退火的三元素n型氧化物半導(dǎo)體薄膜，與所述第一功能層的材料相同，共同構(gòu)成同質(zhì)結(jié)；多個彼此間隔分布的凹槽，貫穿所述第二功能層和所述第一功能層至底電極，其內(nèi)填充有隔離層；頂電極，形成在所述第二功能層上，其中，第一功能層在光照下產(chǎn)生光生載流子，對光學(xué)信息進(jìn)行感知，并以電流的形式反饋至器件，同時借助第二功能層的憶阻特性，以實(shí)現(xiàn)整體器件狀態(tài)的記憶存儲，通過對器件不斷地施加光電信號，實(shí)現(xiàn)器件電導(dǎo)的連續(xù)調(diào)制，從而實(shí)現(xiàn)神經(jīng)形態(tài)計算中權(quán)重更迭。

本發(fā)明提供了一種混合導(dǎo)通機(jī)制鰭型柵場效應(yīng)晶體管器件，包括鰭型柵場效應(yīng)晶體管、第二源區(qū)與第二漏區(qū)；鰭型柵場效應(yīng)晶體管包括襯底、鰭型溝道區(qū)、第一源區(qū)及第一漏區(qū)；第二源區(qū)的高度不低于第一源區(qū)與第一漏區(qū)之間的襯底的高度；第一源區(qū)與第一漏區(qū)中摻雜有第一離子；第二源區(qū)形成于襯底與第一源區(qū)之間，第二漏區(qū)形成于襯底與第一漏區(qū)之間，第二漏區(qū)與第二源區(qū)中分別摻雜有第一離子與第二離子。該方案解決了鰭型柵場效應(yīng)晶體管的底部電流泄漏的問題，且通過增設(shè)第二源區(qū)和第二漏區(qū)，相當(dāng)于在鰭型柵場效應(yīng)晶體管的底部并聯(lián)隧穿場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)鰭型溝道擴(kuò)散漂移電流和底部溝道帶帶隧穿電流混合導(dǎo)通，從而獲得更優(yōu)的超陡開關(guān)特性。

這一強(qiáng)磁場下的不飽和磁性與非相對論型的拓?fù)淦接闺娮映尸F(xiàn)的飽和磁性截然相反，是相對論型的電子所獨(dú)具的指針性屬性。 由于各種拓?fù)潆娮硬牧系哪軒τ诎ㄗ孕壍礼詈弦约盎瘜W(xué)勢在內(nèi)的各種參數(shù)高度敏感，決定電子拓?fù)湫再|(zhì)的能量尺度可能小至毫電子伏特量級，因此通常的譜學(xué)測量如角分辨光電子譜等往往無法分辨能帶的細(xì)節(jié)。而普通的電輸運(yùn)測量只能表征費(fèi)米面的貝里曲率，無法區(qū)分相對論型的電子能帶是否存在能隙。這項對于拓?fù)潆娮硬牧系拇判匝芯浚Y(jié)合了理論計算與強(qiáng)磁場下的實(shí)驗表征，提出了探測相對論型的電子的一種決定性指針。該工作已在《自然?通訊》上發(fā)表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions.

本發(fā)明公開了一種 III-V 族量子點(diǎn)誘導(dǎo)生長鈣鈦礦晶體的方法， 包括以下步驟：(1)將 III-V 族量子點(diǎn)分散于非極性溶劑中得到量子點(diǎn)溶 液，將無機(jī)配體溶解于極性溶劑中得到無機(jī)配體分散液，再將量子點(diǎn) 溶液與無機(jī)配體分散液混合攪拌，極性溶劑所在層即對應(yīng)第一前驅(qū)體溶液；(2)將 PbX2 與 MAX 均勻分散于極性溶劑中得到第二前驅(qū)體溶 液；(3)將第一前驅(qū)體溶液與第二前驅(qū)體溶液混合后利用反溶劑法生長 晶體，從而在

本發(fā)明公開了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點(diǎn)。本發(fā)明有效利用硅 量子點(diǎn)-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點(diǎn)-SiC