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一種雙霍爾元件電流傳感器，屬于電流傳感裝置，解決現(xiàn)有雙霍爾元件電流傳感器的鐵心中氣隙較大，導(dǎo)致漏磁較多、測(cè)量精度較低的問題，同時(shí)，減少外界噪聲、磁場(chǎng)和靜電等干擾，用于測(cè)量交流電流或者直流電流。本實(shí)用新型包括絕緣外殼、開口環(huán)狀鐵芯和兩個(gè)霍爾元件，開口環(huán)狀鐵芯位于絕緣外殼的環(huán)形腔體內(nèi)，兩個(gè)霍爾元件位于開口環(huán)狀鐵芯的同一氣隙中與磁力線垂直的同一截面內(nèi)；所述絕緣外殼上設(shè)有接線端子，所述兩個(gè)霍爾元件分別與接線端子電氣連接；所述絕緣外殼和開口環(huán)狀鐵芯之間設(shè)置有磁屏蔽環(huán)。本實(shí)用新型中兩個(gè)霍爾元件的放置方式減少了開

成果簡(jiǎn)介1、 基于 CO 氣體傳感器的檢漏儀檢漏原理： 當(dāng)高爐冷卻壁燒損時(shí)， 控水減壓后爐內(nèi)氣體（含 CO） 將進(jìn)入冷卻水中， 利用氣水分離原理收集水中 CO 氣體， 采用 MGS1100 型 CO 氣體傳感器檢測(cè) CO 濃度值， 經(jīng)相關(guān)比對(duì)處理后顯示并報(bào)警。 MGS1100 是基于半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的氣敏元件， 對(duì) CO 氣體高度敏感。 只要能收集到少量的氣體即可檢測(cè)是否含一氧化碳。 采用 CO 傳感器檢漏的方法， 可以迅速、 準(zhǔn)確的判斷冷卻壁是否破損，以便采取有效措施及時(shí)

        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         目前的潮流能發(fā)電機(jī)組以直驅(qū)液壓變槳及帶變速箱的液壓變槳為主，其發(fā)電機(jī)和變速箱均采取機(jī)械動(dòng)密封方式進(jìn)行密封防水處理，海洋環(huán)境下，機(jī)械動(dòng)密封的可靠性和運(yùn)行效率往往沖突，密封層級(jí)多運(yùn)行阻力大，效率低，密封層級(jí)少，密封可靠性差，機(jī)組的運(yùn)行可靠性大大降低。光伏、波浪、海流一體化集成發(fā)電，波浪能與海流能水輪機(jī)對(duì)轉(zhuǎn)并通過磁力耦合驅(qū)動(dòng)發(fā)電機(jī)增速，具有多能互補(bǔ)、高效獲能、轉(zhuǎn)換效率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、運(yùn)行可靠等特點(diǎn)，為規(guī)模化海洋能開發(fā)提供創(chuàng)新型設(shè)計(jì)。         意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持

石墨烯中電子除了自旋這個(gè)內(nèi)秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質(zhì)。單原子缺陷是材料體系中最簡(jiǎn)單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對(duì)材料性質(zhì)的影響和調(diào)控。物理學(xué)系何林教授課題組長(zhǎng)期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發(fā)現(xiàn)缺陷可對(duì)石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關(guān)的電學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實(shí)石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)其自旋磁矩調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了三種自旋量子態(tài)；觀測(cè)到石墨烯中單原子缺陷引入的對(duì)稱性破缺態(tài)，并系統(tǒng)地測(cè)量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實(shí)空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結(jié)構(gòu)，有A和B兩套子格，因此波函數(shù)數(shù)學(xué)形式上類似于自旋。對(duì)于電子自旋有很多有意思的可觀測(cè)物理現(xiàn)象，那么對(duì)應(yīng)石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測(cè)的物理現(xiàn)象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發(fā)現(xiàn)石墨烯中的單原子缺陷可以使準(zhǔn)粒子在石墨烯手性不同的兩個(gè)谷之間發(fā)生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉(zhuǎn)，在缺陷附近產(chǎn)生一個(gè)原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數(shù)直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測(cè)量需要借助于外加磁場(chǎng)，因?yàn)榇艌?chǎng)可以驅(qū)動(dòng)準(zhǔn)粒子沿閉合的軌跡絕熱運(yùn)動(dòng)，所以這一的結(jié)果提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的方法測(cè)量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測(cè)量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實(shí)空間中增加的額外波前條紋數(shù)直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數(shù)，從而可直接測(cè)量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對(duì)雙層石墨烯進(jìn)行了詳細(xì)的研究，并將相關(guān)結(jié)果推廣到多層石墨烯體系。進(jìn)一步他們還研究了相同和相反繞數(shù)的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結(jié)果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現(xiàn)象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。

石墨烯中電子除了自旋這個(gè)內(nèi)秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質(zhì)。單原子缺陷是材料體系中最簡(jiǎn)單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對(duì)材料性質(zhì)的影響和調(diào)控。物理學(xué)系何林教授課題組長(zhǎng)期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發(fā)現(xiàn)缺陷可對(duì)石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關(guān)的電學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實(shí)石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)其自旋磁矩調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了三種自旋量子態(tài)；觀測(cè)到石墨烯中單原子缺陷引入的對(duì)稱性破缺態(tài)，并系統(tǒng)地測(cè)量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實(shí)空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結(jié)構(gòu)，有A和B兩套子格，因此波函數(shù)數(shù)學(xué)形式上類似于自旋。對(duì)于電子自旋有很多有意思的可觀測(cè)物理現(xiàn)象，那么對(duì)應(yīng)石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測(cè)的物理現(xiàn)象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發(fā)現(xiàn)石墨烯中的單原子缺陷可以使準(zhǔn)粒子在石墨烯手性不同的兩個(gè)谷之間發(fā)生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉(zhuǎn)，在缺陷附近產(chǎn)生一個(gè)原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數(shù)直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測(cè)量需要借助于外加磁場(chǎng)，因?yàn)榇艌?chǎng)可以驅(qū)動(dòng)準(zhǔn)粒子沿閉合的軌跡絕熱運(yùn)動(dòng)，所以這一的結(jié)果提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的方法測(cè)量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測(cè)量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實(shí)空間中增加的額外波前條紋數(shù)直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數(shù)，從而可直接測(cè)量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對(duì)雙層石墨烯進(jìn)行了詳細(xì)的研究，并將相關(guān)結(jié)果推廣到多層石墨烯體系。進(jìn)一步他們還研究了相同和相反繞數(shù)的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結(jié)果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現(xiàn)象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。

本發(fā)明公開了一種缺陷態(tài)結(jié)構(gòu)聲學(xué)超材料板，包括彈性薄膜，兩塊復(fù)合材料板以及若干個(gè)質(zhì)量片，其中，兩塊所述復(fù)合材料板分別粘接于彈性薄膜上下兩側(cè)，所述復(fù)合材料板上設(shè)置有周期性排列的開口，若干個(gè)所述質(zhì)量片分別設(shè)置于開口處的彈性薄膜上，所述質(zhì)量片在分布中具有缺陷態(tài)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的缺陷態(tài)結(jié)構(gòu)聲學(xué)超材料板，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)性好，所使用基礎(chǔ)材料皆為常規(guī)材料，易于批量化加工、生產(chǎn)，值得在業(yè)內(nèi)推廣。

本發(fā)明公開了一種芯片連晶缺陷識(shí)別方法，該發(fā)明主要用于在 芯片制造過程中識(shí)別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個(gè)步驟：步驟 一，對(duì)采集到的芯片圖片進(jìn)行模板匹配，定位出芯片的位置，根據(jù)芯 片的位置，對(duì)圖片進(jìn)行截取；步驟二，對(duì)截取獲得的圖片進(jìn)行預(yù)處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對(duì)經(jīng)過預(yù)處理的圖片進(jìn)行分割， 獲取 blob 塊，對(duì) blob 塊進(jìn)行特征分析：首先以面積為基準(zhǔn)判斷出是否 含連晶缺陷；對(duì)面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點(diǎn)以及四邊中點(diǎn)的位置，以中心點(diǎn)以及四邊

已有樣品/n該項(xiàng)目所開發(fā)的儀器設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)對(duì)FNRBCs 準(zhǔn)確、高效、快速、低廉的分離與富集，并進(jìn)行基因組層面的全面分析，為無創(chuàng)性產(chǎn)前診斷技術(shù)的發(fā)展及相關(guān)科學(xué)研究的深入提供有力的推動(dòng)和支撐平臺(tái)。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在該研究領(lǐng)域進(jìn)行了長(zhǎng)期的研究工作，積累了大量經(jīng)驗(yàn)，并取得了一定成績(jī)。該成果，方法獨(dú)特，效果明顯并成功用于三體綜合癥檢測(cè)。

460mm×190mm×200mm，圓片尺寸φ120mm。光路中的遮光片可上下、左右、前后移動(dòng)，帶光源。在室內(nèi)一般光照環(huán)境能使用。

1. 項(xiàng)目概述隨著我國(guó)石油、化工、核能、電力等工業(yè)的飛速發(fā)展，設(shè)備和管道法蘭連接系統(tǒng)對(duì)靜密封元件如纏繞式墊片、柔性石墨復(fù)合墊片等需求量與日俱增。密封元件的質(zhì)量好壞會(huì)直接影響生產(chǎn)裝置的安全運(yùn)行和操作人員的安危，尤其在高溫、高壓、易燃、易爆和劇毒介質(zhì)工況下密封元件的失效會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重事故。本研究室經(jīng)過多年研究和不斷改進(jìn)，開發(fā)出密封元件分級(jí)制造新技術(shù)以及工藝參數(shù)可控制的國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的靜密封件生產(chǎn)裝備，包括新型纏繞機(jī)、金屬包復(fù)墊滾壓成型機(jī)、石墨復(fù)合墊剪圓及包邊機(jī)等。采用上述技術(shù)和裝備可生產(chǎn)出滿足不同工況條件的高質(zhì)量靜密封產(chǎn)品。此外開發(fā)了高溫連接用防松弛技術(shù)及其相應(yīng)的元件，提供成熟的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造技術(shù)。2. 技術(shù)優(yōu)勢(shì)生產(chǎn)的各種靜密封件其性能指標(biāo)，包括壓縮回彈率、泄漏率、應(yīng)力松弛率、外觀質(zhì)量均符合國(guó)標(biāo)規(guī)定的要求。按照連接結(jié)構(gòu)緊密性要求對(duì)防松弛元件進(jìn)行設(shè)計(jì)。提供性能檢測(cè)與評(píng)價(jià)服務(wù)，提供相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。原化工部靜密封檢測(cè)中心掛靠單位、20多個(gè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)起草單位全國(guó)管路附件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員、化學(xué)工業(yè)專用密封標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)委員會(huì)委員單位。