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一種光刻掩模優化設計方法
本發明公開了一種光刻掩模優化設計方法，該方法首先依據表 征掩模的網格格點尺寸大小對掩模進行分級，在粗網格上快速求解掩 模，然后對在粗網格上求解得到的掩模進行插值傳播到下一級較細網 格上進行細化校正，最終實現了掩模的快速優化。
華中科技大學
2021-04-11
一種光刻掩模優化設計方法
本發明公開了一種光刻掩模優化設計方法，該方法首先依據表征掩模的網格格點尺寸大小對掩模進行分級，在粗網格上快速求解掩模，然后對在粗網格上求解得到的掩模進行插值傳播到下一級較細網格上進行細化校正，最終實現了掩模的快速優化。
華中科技大學
2021-04-14
14?納米CMOS?量產工藝中光源掩模協同優化技術
已有樣品/n微電子所先導中心韋亞一研究員團隊與中芯國際研究團隊圍繞14 納米CMOS 量產工藝中光源掩模協同優化技術開展聯合攻關并取得顯著進展，完成了后段制程中多層關鍵層的光源優化工作，包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X 等。優化后光源通過晶圓數據驗證評估，較原有光源在各項關鍵指標上有顯著提升，保證了先進節點中光刻工藝的穩定性。
中國科學院大學
2021-01-12
壓印法集成電路光刻技術
本項目提出一種創新的集成電路(IC)制造工藝路線，即壓印光刻(Imprint Lithography－IL)技術，并對該技術相關的壓印和脫模工藝機理、紫外光固化阻蝕膠材料的物化和工藝特性、與IC制造其它工藝的綜合集成和優化、壓印光刻設備的關鍵技術等進行研究和技術開發。其基本原理為：以電子束直寫刻蝕(或其它刻蝕技術)生成IC圖型母板(模具)，以母板(模具)步
西安交通大學
2021-01-12
用于浸沒式光刻的浸液溫控裝置
本發明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統，包括：用 于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過一管路進口進入該浸液管 路，溫控處理后的具有穩定溫度的浸液通過該浸液管路的出口輸出； 用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中 循環流動；以及多個熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和 工藝冷卻水回路同時流經每個熱交換器，并利用各熱交換器分別依次 完成工藝冷卻液和浸液之間的熱交換，從而通過多次換熱獲得具有穩 定溫度的浸液，實現對浸液的溫度控制。本發明的裝置系統采用內部 回流結構與多級熱交換器相結合，實現對浸液溫度的多級控制，可以 實現浸沒光刻中對浸液穩定的精確穩定的控制，提供溫控效率。
華中科技大學
2021-04-11
微納米壓印光刻工藝及裝備
微納米結構成形是光電子制造中的核心工藝之一。壓印光刻克服了傳統光學光刻中光學衍射效應的限制，是一種經濟、高效、高分辨的結構成形方法。 正在探索的壓印工藝方法包括：UV-NIL、模板電誘導自組裝納米成形、電潤濕驅動納米壓印等。 正在探討壓印光刻的應用領域包括：集成電路(IC)、微機電系統(MEMS)、生物微流控、光波導、光或磁存儲、有機光電子、平板顯示等器件的制造。
西安交通大學
2021-04-11
超衍射極限納米光刻機技術
研發階段/n1、在該方向發表論文10余篇，Nature子刊，Science子刊各一篇。。2、申報和獲得該方向相關發明專利8項。其中1項授權轉讓給Facebook，Sony和中國一家企業。在華中科技大學申報5項發明專利，依托武漢舒博光電技術有限公司申報2項發明專利。。3、研發出2代超分辨納米光刻樣機。。4、配備光學裝備開發專門團隊，初步建成光學精密制造和檢測平臺。
華中科技大學
2021-01-12
用于浸沒式光刻的浸液溫控裝置
本發明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統，包括：用于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過一管路進口進入該浸液管路，溫控處理后的具有穩定溫度的浸液通過該浸液管路的出口輸出；用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中循環流動；以及多個熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和工藝冷卻水回路同時流經每個熱交換器，并利用各熱交換器分別依次完成工藝冷卻液和浸液之間的熱交換，從而通過多次換熱獲得具有穩定溫度的浸液，實現對浸液的溫度控制。本發明的裝置系統采用內部回流結構與多級熱交換器相結合，
華中科技大學
2021-04-14
光刻膠及液體硅橡膠的開發
懸賞金額：50萬元
發榜企業：惠州市強達電子工業有限公司
需求領域：特種功能材料 LED前沿與核心技術 精細化工 電子材料、半導體材料高分子、復合材料
產業集群：先進材料產業集群
技術關鍵詞：光刻樹脂; 光刻膠; 特種硅樹脂; 高性能硅橡膠; 紫外光固化技術
惠州市強達電子工業有限公司
2021-11-02
半導體光刻膠成膜樹脂制備技術
1.痛點問題
光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分，已成為國家的戰略資源之一。半導體光刻膠的核心在于成膜樹脂，受限于研發難度大、專利壁壘高、資金投入多、準入門檻高，目前國內企業尚難以突破KrF膠（248nm）或ArF膠（193nm），而EUV膠完全不能自主供給。
2.解決方案
本項技術采用了國際最前沿的納米氧化物團簇材料的工藝路線，可以實現單2nm小分子的光刻膠成膜樹脂材料，攻克了材料合成和納米材料提純的難題，可滿足目前半導體3nm制程節點的技術要求，RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項關鍵性能指標優異，其曝光劑量遠低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外，本項技術具有多種半導體光刻膠兼容性，可以生產248nm和193nm光源的半導體光刻膠成膜樹脂，以及電子束半導體掩膜用光刻膠成膜樹脂，具有廣闊的技術替代優勢和市場應用前景。
3.合作需求
本項技術已設立衍生企業，位于江蘇常州的3000m2研發生產中心正在建設中。
1）融資需求：本輪天使輪融資6000萬元。
2）資源對接需求：集成電路芯片制造、掩膜板生產企業，地方政府等。
清華大學
2022-07-12