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深圳博升光電科技有限公司是由美國工程院院士常瑞華創(chuàng)辦的中外合資企業(yè)，致力于研究生產用于3D感知領先世界的半導體垂直腔體激光器（VCSEL）光芯片。博升光電的創(chuàng)始團隊來自加州大學伯克利分校、斯坦福大學、清華大學等國際知名高校。其中研發(fā)團隊來自硅谷，工程生產團隊來自臺灣，市場運營團隊來自美國及中國，在產品研發(fā)、生產、商業(yè)運營等方面經驗豐富。博升光電成立后即獲得業(yè)界頂級投資公司武岳峰資本、力合創(chuàng)投、嘉御資本、聯(lián)想之星等超過1億元人民幣的A輪融資。點擊上方按鈕聯(lián)系科轉云平臺進行溝通對接！

產品詳細介紹照度傳感器產品介紹 產品介紹  GZD系統(tǒng)光照度變送器采用對弱光也有較高靈敏度的硅蘭光伏探測器作為傳感器；具有測量范圍寬、線形度好、防水性能好、使用方便、便于安裝、傳輸距離遠等特點，適用于各種場所,尤其適用于農業(yè)大棚、城市照明等場所。根據不同的測量場所，配合不同的量程，線性度好、  防水性能好 、可靠性高、  結構美觀、安裝使用方便、抗干擾能力強。 使用標準 1個單位的照度大約為1個燭光在1米距離的光亮度。 夏日晴天強光下照度為10萬 Lux（3～30萬Lux）； 陰天光照度為1萬 Lux； 日出、日落光照強度為    300～400Lux； 室內日光燈照度為         30～50Lux； 夜里                    0.3～0.03 Lux（明亮月光下）； 0.003～0.0007 Lux（陰暗的夜晚） 以上參數公供參考   技術參數:   供電電壓：          12VDC～30VDC 感光體：         帶濾光片的硅藍光伏探測器； 波長測量范圍：         380nm～730nm；   準 確 度：                   ±7％ 重復測試：                  ±5%； 溫度特性：                 ±0.5%/℃；   測量范圍：                0～200000Lux   輸出形式：           二線制4～20mA電流輸出 三線制0～5V電壓輸出 液晶顯示輸出 232/485網絡輸出   使用環(huán)境：           0℃～40℃、0%RH～70%RH（帶液晶）； 0℃～70℃、0%RH～70%RH(不帶液晶) 大氣壓力： 80～110kPa 聯(lián)系我們： 電話： （010）57167501/7502 網址：   www.diysensor.com 手機:  13488682012 Q Q:     335363231 地址：北京市朝陽區(qū)奧運9#院  

光限幅器件是基于非線性光學效應，實現(xiàn)在較低入射光強下高透過率、在較高入射光強下低透過率的光學器件。理想的光限幅器要求具有超快的響應時間、超低的限幅閾值、大的能量動態(tài)范圍，以及寬的光譜適用范圍，現(xiàn)有的光限幅器件很難同時滿足上述要求。為此，本項目提出一種基于石墨烯和碳納米管的復合型光限幅器，這種光限幅器不僅可以實現(xiàn)超低閾值限幅輸出，而且具有超大的動態(tài)能量適用范圍。

本發(fā)明公開了一種用于光纖與芯片間光信號傳輸的水平耦合器 件，包括第一采集模塊，用于引導和收集一階線偏振模式中第一模斑， 第二采集模塊，用于引導和收集一階線偏振模式中第二模斑，耦合模 塊，設有第一傳輸通道、第二傳輸通道和主通道，第一傳輸通道接收 第一模斑，第二傳輸通道接收第二模斑，并通過模場的空間疊加實現(xiàn) 從耦合模塊的主傳輸通道輸出一階橫電模。本發(fā)明實現(xiàn)了將光纖中一 階線偏振模式轉化為芯片中的一階橫電模同時也保證了基模

本發(fā)明公開了一種 IQ 光調制器偏置電壓控制系統(tǒng)及方法，該控 制系統(tǒng)包括順次連接的激光光源、偏振控制器、IQ 光調制器、光耦合 器、光電探測器、數據處理模塊，IQ 光調制器的輸出經光耦合器分光 后連接到光電探測器，其輸出與數據處理模塊的輸入相連，數據處理 模塊的三個輸出分別送至 IQ 光調制器的三個子調制器的直流偏置電 壓輸入端口。該控制方法為首先通過測量輸出光功率的最大值及相鄰 最小值，優(yōu)化子相位調制器的偏壓，然后

基于平面光波光路(PLC)技術的各類光功能器件，是實現(xiàn)現(xiàn)代高速光網絡、高速光信號處理、大容量光互連節(jié)點和終端設備中光信號處理模塊的基礎。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半導體工藝，以脊波導為基礎，具有體積小、功耗/損耗低、可靠性高、性價比高等優(yōu)點，在國際上即將形成新的產業(yè)熱點。電子科學與工程學院光子學與光通信研究室順應這一趨勢，潛心攻關，埋頭研究，歷時四年完成了InP多量子阱PLC單元器件理論與實驗研究。在國內首次建立了PLC光路設計和光學特性測試平臺，探索出國產化工藝加工途徑，取得多項自主知識產權，成功地研制出InP基多量子阱PLC無源光子器件。包括光調制器/開關、可調式多模干涉耦合器、諧振腔濾波器、2×4分路器等，于2007年2月通過了教育部組織并主持的科技成果鑒定，達到國際先進水平。

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優(yōu)點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現(xiàn)了廣泛的應用前景。業(yè)界普遍認為,半導體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發(fā)光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。

近日，東南大學化學化工學院青年教師陳旭漫博士在國際頂級期刊《Angewandte Chemie（德國應用化學）》上發(fā)表題為“Efficient Near-Infrared Emissive Artificial Supramolecular Light-Harvesting System for Imaging in Golgi Apparatus”的學術論文。 光捕獲過程作為將自然光進行捕獲、能量轉化并利用的步驟，是植物光合作用中第一個也是十分重要的過程。構筑人工光捕獲體系對于光能的利用具有重要意義，但目前構筑具有高效人工光捕獲體系仍存在很大挑戰(zhàn)。 東南大學研究團隊利用“杯芳烴誘導聚集”策略，設計合成兩親磺化杯芳烴和陽離子型萘基吡啶衍生物作為熒光給體在水溶液中自組裝，并引入尼羅藍作為熒光受體分子，成功構筑了近紅外發(fā)射的超分子人工光捕獲體系。 通過進一步研究，團隊發(fā)現(xiàn)該體系在細胞內依然保持很高的光捕獲效率和高度穩(wěn)定性，同時證明了其對高爾基體染色的選擇性。該研究對于人工超分子光捕獲體系傳感、成像、診斷等方面的研究有著重要的推動作用。論文第一作者為東南大學化學化工學院青年教師陳旭漫，東南大學為第一通訊單位。