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在“東南大學十大科學與技術問題”啟動培育基金的資助下，江蘇省“分子鐵電科學與應用”重點實驗室研究團隊在分子壓電領域取得重要進展，發現了首例二茂鐵基鈣鈦礦壓電材料。 有機無機雜化鈣鈦礦（通式為ABX3）由于其在太陽能電池、光電探測器、電致發光、壓電等高新科技領域中可觀的發展潛力而備受專注。在雜化鈣鈦礦領域，因其優異的結構多樣性和化學可調性，涌現出了各種結構新穎和性能卓越的壓電和鐵電材料。然而，迄今為止報道的雜化鈣鈦礦壓電體中，A位的成分幾乎都是純有機胺離子。自1951年以來，二茂鐵的問世掀起了有機金屬化學的革命。基于二茂鐵的有機金屬化合物由于其性能的多樣性和功能的豐富性在納米醫學，生物傳感，催化和氧化還原等領域具有廣闊的應用前景。經過多年發展，二茂鐵基有機金屬化合物在鐵磁和鐵彈等領域也取得了重大突破。然而，基于二茂鐵基陽離子的鈣鈦礦壓電材料此前仍是一片空白。 在“鐵電化學”理論（針對鐵電體的分子設計原理）的啟發和指導下，我們發現以二茂鐵基組分作為陽離子來代替有機胺是可行的，并構筑了一類新型的二茂鐵基鈣鈦礦壓電材料：[（二茂鐵基甲基）三甲基銨]PbI3 ((FMTMA)PbI3), (FMTMA)PbBr2I和 (FMTMA)PbCl2I。得益于二茂鐵基陽離子的穩定性，通過陰離子骨架中的鹵素調控使材料的性能得到顯著提升，獲得了與LiNbO3相當的出色壓電性能并兼具突出的半導體特性。基于該材料所制備的壓電能量收集裝置展現了其優異的機電能量轉換性能。這項工作為鈣鈦礦壓電材料的研究開辟了新的篇章，將激發對二茂鐵基鈣鈦礦材料的進一步研究。

具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區)，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩定性，完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。

本發明公開了一種二硒化鈷/碳納米材料，包括基底、厚度為 1 μm～2μm 的 CoSe2 層以及厚度為 1nm～10nm 的無定形碳層，所述 CoSe2 層生長于所述基底表面，呈現三維片狀結構，所述無定形碳層 附著于所述 CoSe2 層表面，且所述 CoSe2 層與所述無定形碳層的質量 比為 90:1～1800:1，所述基底為鈦片或鈦絲。本發明通過將無定形碳 層附著于 CoSe2 材料表面，從而提高了納米材料的循環穩定性，從而

本 發 明 公 開 了 三 種 新 的 二 元 金 屬 鹽 鈣 鈦 礦 材 料 AB¹B²X3(X：Cl、Br、I)及其制備方法，以及 其在多種結構的鈣鈦礦太陽能電池制備中應用，屬于新材料太陽能電 池 領 域 。 本材料由有機鹵化物 <img file=""DDA0000889538320000011.GIF"" wi=""508"" he=""77"" /&g

本發明公開了一種二維納米 SnSe2 晶體材料的制備方法，采用 化學氣相沉積法用單質硒和鹵化錫在襯底上沉積所需厚度的 SnSe2 晶 體；其中，沉積設備為水平管式爐，順序設有上游低溫區、中心溫區 以及下游低溫區，所述單質硒和鹵化錫分別獨立但緊靠放置于上游低 溫區，所述襯底放置于下游低溫區；利用不同溫區的溫度差，單質硒 蒸汽和鹵化錫蒸汽形成于上游低溫區；兩者反應生成 SnSe2，并通過 沉積載氣帶入下游溫區，在襯底上沉

本發明屬于半導體存儲器技術領域，具體為一種基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法。本發明通過原子級薄層溝道和柵疊層設計降低特征長度，從而促進器件尺寸微縮；該器件通過能帶設計和范德華堆疊高質量界面降低隧穿勢壘，實現十納秒級編程/擦除速度和非易失特性；器件的短溝道通過垂直沉積和傾斜沉積兩步法工藝實現，且溝道長度能夠通過改變電極厚度和沉積角度來調控。本發明能在不使用先進光刻技術前提下，實現亞10nm溝道長度，突破硅基閃存器件的溝道長度微縮瓶頸，為新型高速非易失存儲器的高密度集成提供新解決方案。

本發明屬于納米氣敏材料制備技術領域，涉及一種啞鈴型ZnO微米環氣敏材料的制備方法，以Zn(NO3)2&middot;6H2O和六次甲基四胺為反應原料，以水為溶劑，利用水熱合成技術制備ZnO啞鈴型棒狀結構，室溫靜置后自發腐蝕得到啞鈴型微米環氣敏材料，制備工藝簡單，反應條件溫和，生產成本低，易于批量生產，制備的產品純度高，結晶性好，比表面大，在氣體傳感器和光催化等方面具有潛在用途。本發明在新能源、氣敏、催化、等領域具有重要用途。

項目簡介： 常規聚丙烯 ( PP) 材料存在強度低、韌性差、單位體積質量難以進一步降低等缺陷。本項目基于這一現狀，利用分子

本發明公開了一種脫硫用伽瑪型三氧化二鋁膜改性污泥活性炭,其原料組分為ALCL3·6H2O和污水處理廠污泥;制備步驟如下:①制備AL(OH)3溶膠;②制備污泥活性炭;③制備伽瑪型三氧化二鋁膜改性污泥活性炭。本發明應用于對低濃度的煙氣脫硫,有益效果是,首次將伽瑪型三氧化二鋁膜用于改性污泥活性炭的脫硫性能,有效提高了污泥活性炭的脫硫效率。

本設備適用于高等院校及要求較高的中專、技校、職業學校，可完成電工學、電工原理、電路分析、模擬電子技術、教字電路,電氣控制設備等課程實驗。該設備是現有實驗室設備的更新換代或新建、擴建實驗室的理想產品,它的配備是學校上水平、上等級的重要標志。 ? 一、用途、特點: ?　　目前，國內各類學校電工、模擬、數字電路、電氣控制實驗大多是分體的，也有部分學校根據教學要求自制各種形式的實驗設備，由于工量少，受自身加工能力的限制，加工工藝粗糙，功能不全，滿足不了實驗要求，也容易發生人身及設備事故，且實驗元器件繁多難購置、難以管理，很難開出實驗大綱規定的實驗。基此，我廠吸取德國及國內同類產品的優點，結合我國高教，職教教學大綱要求而研制本系列產品。 　　實驗臺具有較完善的安全保護措施，較齊全的功能。實驗操作桌中央配有通用電路插扳，電路插板注塑而成，表面均布有九孔成一組相互聯通的插孔，元件盒在其上任意拼插成實驗電路；元件盒盒體透明，直觀性好，盒蓋印有永不褪色元件符號，線條清晰美觀。盒體與盒蓋采用較科學的壓卡式結構，維修、更換元件拆裝方便。元器件放置在實驗操作桌下邊左右柜內，實驗時取存方便，大大提高了管理水平，規劃化程度，大大減輕了教師實驗準備工作。 　?二、結構與配備 1、實驗臺桌:見彩圖，一臺二座，臺桌外形尺寸:160X70X8Ocm。臺桌中央配置通用電路板。每張臺桌配一粒膠皮板，以保護通用電路板及桌面(如需要在其上放置電機、焊接等)。臺桌下都是元件儲存柜，放置元器件。 2、實驗臺:共12臺，每張學生實驗操作桌上配置l臺 3、示教臺:1臺示教臺，分別控制12臺學生的電源，通用電路板演示屏立在實驗臺上，尺寸150X7Ocm，用于講解、演示。 4、器材配備: 39只指針式1.5級直流電流表、13只MF500萬用表，13只數字萬用表.25套電烙鐵和烙鐵架、13套剝線鉗、尖嘴鉗、螺絲刀等工具，13套實驗所需的電阻.電位器.電感、電容.集成電路.變壓器.條形磁鐵.邏輯電平開關、邏輯電平顯示 .91只集成座等元件單元盒(元件已裝在單元盒內)，25張塑料凳。 5·用戶自備器材:雙蹤示波器(型號不限)，功率表、滑線變阻器、毫伏表 三、實驗項目: ? 實驗內容1、模擬部分實驗 1·二極管的正、反相特性　　　　 2·晶體三極管的輸入、輸出特性　 3·晶體管共射極單管放大器　　　 4·兩級阻客搞合放大電路　　　　 5·負反饋對放大器性能的影響　　 6·場效應管放大器　　　　　　　 7·差動放大電路　　　　　　　　 8·運算放大器指標測試　　　　　 9·集成運算放大器的基本應用(多種模擬運算電路)　 10·集成運算放大器非線性應用（多種波形發生器）　 11· 變壓器耦合推挽功率放大器 12·OTL功率放大器 13· 集成功率放大器 14·單相橋式整流電路 15·串聯型晶體管直流穩壓電源(設計性實驗) 16·集成直流穗壓電源 17·單結晶體管特性 18·單結晶體管觸發電路 19·晶閘管簡單測試 20·晶閘管可控整流電路 利用上述20項實驗元器件還可完成下面實驗項目 l·電壓負反饋偏置電路　　　　　　 2·分壓式電流負反債偏置電路　　　 3·用二極管穗定工作點　　　　　　 4·共基極放大電路　　　　　　　? 5·共集電極放大電路　　　　　　? 6·共源極基本放大電路? 7·場效應管共漏極電路 8·場效應管共柵極電路 9·單管阻客放大電路 10·變壓器耦合放大電路 11·甲類功率放大電路 12·串聯電流負反饋電路 13·串聯電壓負反饋電路 14·并聯電壓負反饋電路 15·串聯型晶體管直流穩壓電源(設計性實驗) 16·共基共射極放大電路 17·自舉射極輸出電路? 18·NPN一PNP直接耦合放大電路 19·用負反饋消除自激根箔 20·晶體管開關作用 21·變壓器反饋式振蕩電路 22·電容三點式振蕩電路 23·電感三點式振蕩電路 24·差動放大電路的基本形式 25·長尾式差動放大電路 26·雙電源長尾式差動放大電路 27·運放用作交流比例放大 28·反相輸入保護措施 29·同相輸入保護措施 30·電源極性錯接的保護 31·RC高通電路 32·利用三極管來保護器件 33·差動輸入運算電路 34·快速積分電路 35·模擬一階微分方程電路 36·模擬二階微分方程電路 37·基本對數運算電路 38·實用微分電路 39·反對數放大基本電路 40·簡單的過零比較電路 ? 41·利用二級管作為上限檢測幅度選擇電路 42·下限幅度選擇電路 43·RC無源網絡的低通濾波電路 44·同相輸入一階低通濾波電路 45·反相輸入一階低通濾波電路 46·簡單的二階RC濾波電路 47·典型二階RC有源低通濾波電路 48.典型二階高通有源濾波電路 49·基本帶通濾波電路 50·典型帶通濾波電路 51·矩型波振蕩電路 52·寬度可調的矩形波發生器 53·幅頻可調的鋸齒波發生器 54·單相半波整流電路 55·單相全波整流電路 56·電容濾波電路 57·電容濾波帶電阻負載 58·RC濾波電路 59·基本LC濾波電路 60·二倍壓整流電路 61·三倍壓整流電路 62·基本穩壓電路 63．基本調整管穩壓電路 64·具有放大環節的穩壓電路 65·單相半波可控硅整流 66·電子調壓電路 67·電子催眠器一一趣味性實驗一 68·電子門鈴電路一一趣味性實驗二 69·電子報警電路一一趣味性實驗三 15·并聯電流負反饋電路 2、數字部分實驗 l·TTL集成邁林門的參數測試 2．CMOS邏輯門的參數測試 3．TTL集成電極開路門與三態輸出門的應用 4·與、非·或、與非門電路實驗 5·半加器電路實驗 6·全加器電路實驗 7．RS觸發器實驗 8．D觸發器實驗 9．JK觸發器實驗 IO·T觸發器實驗 11．JK型觸發器轉換成D觸發器 12·D型觸發器轉換成JK觸發器 l3。計數器實驗 14·MSI移位寄存器及其應用 15·譯碼器及其變換方式 16·MSI數據選擇器及邏輯設計 17·微分型單穩態電路? 18·環形多諧振薄器? 19·利用門電路構成編碼器，分配器、選擇器 20·組合電路的設計之一一一編碼轉換? 21．組合電路的設計之二一一顯示電路 22·同步時序電路的設計 23·計算機時序電路的設計 24·集成定時器測試及應用 25·CMOS集成A/D、D/A轉換電路實驗 26·二極管非門·或非門電路 27·三極管非門、與非門、或非門電路 28·異步十進制減法計數器 29·異步十進制加法計數器 30·綜合能力培訓實驗一一電子秒表