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本項目揭示了采動影響區內頂板巖層裂隙 的動態演化規律和采空區側“豎向裂隙發育區” 的形成規律；研制了新型充填材料；創新了無 煤柱快速沿空留巷、Y型通風、留巷鉆孔抽采 卸壓瓦斯等關鍵技術，解決了煤與瓦斯共采的 關鍵技術難題。

相關研究工作已發表論文 3 篇，授權國家發明專利 3 項

簡介：本發明公開了一種基于氯化膽堿?木糖醇低共熔溶劑的電鍍錫方法，屬于電鍍技術領域。該方法首先將木糖醇、氯化膽堿和蒸餾水恒溫攪拌得到透明的低共熔溶劑，接著將氯化亞錫加入到低共熔溶劑中再恒溫攪拌得到含錫的低共熔溶劑，以此作為電鍍液；將純錫板作為陽極，低碳鋼作為陰極，浸入到電鍍液中進行恒電流電鍍。本發明鍍錫工藝安全無毒、環保節約，解決了氟硼酸鹽鍍錫、鹵化物鍍錫等工藝存在的環境污染問題。

本發明公開了一種均相制備低脫乙酰度羧基甲殼素的方法及其應用。首先將甲殼素加入到氫氧化鈉 和尿素的混合水溶液中制得均相甲殼素水溶液，再加入含羧基化試劑的水溶液在均相甲殼素水溶液里攪 拌反應，經后處理得到低脫乙酰度羧基甲殼素。本發明方法制備工藝簡單，產品取代度均勻易控，產率 高，且反應條件溫和，為環境友好的綠色工藝，利于大規模工業化生產;甲殼素基本上未降解，制得的 一些低脫乙酰度羧基甲殼素具有 pH 敏感性和溫度敏感性，可作為藥物載體材料使用。本發明制得的水 溶性高粘度產品為天然原材

該成果涉及食品生物等高新技術領域，是一種具有抑制腐敗作用的低值魚蛋白深度酶解的方法。通過創造性地在低值魚酶解過程中不斷通入凈化空氣或氧氣，抑制和殺滅引致水解物腐敗變質的厭氧菌；利用內切蛋白酶與外切蛋白酶的協同作用，明顯提高了魚蛋白水解效率，可得水解度大于65%，氮回收率大于85%的低值魚蛋白深度酶解液，顯著降低了低值魚酶解成本。 該成果避免現有技術采用化學殺菌劑所導致的對蛋白酶活性的抑制、化學殺菌劑殘留的問題，以及使用熱殺菌方法所導致的降低魚蛋白水解效率的問題，解決了低值魚酶解過程易

本發明提出了一種基于魯棒低秩張量的高光譜圖像去噪方法，包括建立高光譜圖像噪聲的數學模型， 構造高光譜圖像魯棒低秩張量（RLRTR）去噪模型，求解 RLRTR 去噪優化模型。本發明充分利用高光 譜圖像（HSI）的先驗知識，高光譜圖像被不同的噪聲污染，如高斯噪聲、脈沖噪聲、死像素和條帶噪 聲等。利用干凈的高光譜圖像數據具有潛在的低秩張量特性以及異常和非高斯噪聲具有稀疏性的特性， 同時分別采用核范數和 l2,1 范數來表征低秩和稀疏特性；本發明的技術

本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發展是國家重大戰略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規模可控制備、物性調控及其電子、光電器件展開系統研究，主要技術創新點有： 一、二維半導體材料及其異質結構的大規模可控制備。本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規模的二維異質結構，得到了具有高可靠性和穩定性的集成器件。相關成果發表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發展高質量硫族半導體的外延生長新工藝，系統研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質，極大地拓展了傳統的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質結光電器件；發展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調節晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現了從深紫外區到中遠紅外區的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質結構的物性調控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創新性的提出多層二維范德華非對稱異質結構，實現了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發展的新途徑。相關成果發表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

目前我國開始發展單體泵燃油噴射系統以使發動機的排放達到歐III排放標準，這對于我國節約能源、保護環境、降低車輛運輸成本等具有重要意義。本項目開發對單體泵內的關鍵零件—柱塞進行表面改性的工業化應用技術，使表面改性處理的柱塞不僅具有優異的耐磨壽命（顯著優于表面覆有TiN薄膜的柱塞），同時具有很低的摩擦系數（為TiN薄膜的～1/6），使柱塞/泵體摩擦副均具有高度的壽命水平和保持長期精度。

我們已采用磁控濺射沉積方法成功地制備和研究了環境友好的鈦酸鋇和鉍鎂鋯鈦氧的復合薄膜，發現其儲能密度和儲能效率在-100~200 °C溫度區間內都表現出了良好的熱穩定性，并且其寬溫儲能密度明顯高于鉛基材料在這個溫度區間報道的最大值，使其成為替代鉛基儲能材料的最佳選擇。為了降低生產成本，目前我們正在通過研究和調控薄膜的生長工藝來實現在成本低廉的Si、Ni等襯底上制備大面積、高質量、高性能的復合儲能薄膜。

本發明公開了一種基于超磁致伸縮薄膜驅動器的平面線圈驅動式微閥，包括下閥體 （1）、依次壓疊在下閥體（1）上的基片（3）、上閥體（4）和平面螺旋線圈（6），下閥 體的底部沿徑向方向分別設有進液流道（2）和出液流道（11），下閥體的上部設有液體腔 （13），進液流道（2）設有垂直向上的與液體腔連通的流道口，出液流道（11）與所述液 體腔連通；基片（3）上表面鍍有具有逆磁致伸縮效應薄膜（7），下表面鍍有具有正磁致伸 縮效應薄膜（9）；平面螺旋線圈（6）通電后，磁致伸縮薄膜驅動器在激勵磁場的作用下發 生形變向上彎曲，使得工作流體通道打開，實現液壓系統回路的通斷。本發明具有體積小、 易于微型化、響應速度快、可控性強等特點。