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"專業測量低阻的發明儀器：可測最低阻值0.000001Ω；在實際應用中，還可測0.000001V的交流電壓和0.000001A的交流電流。 "

本發明提出了一種低熱阻熱界面制備方法，首先在襯底上制備定向生長碳納米管(VACNT)，然后對VACNT 進行改性和磁化，接著通過磁對準提高 VACNT 與目標襯底間的接觸幾率，最后利用鍵合技術實現 VACNT 與目標襯底間的鍵合。由于磁力和壓力的共同作用，VACNT 與目標襯底間形成了保形接觸，從而有效降低了界面接觸熱阻。本發明解決了 VACNT 直接作為熱界面材料的難題，為納米封裝與互連、低熱阻封裝技術研發開辟了新思路，對促進光電集成技術發展和功率器件的研發具有推動作用

本發明屬于光電子技術領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結構，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構成的導電網絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發明還公開了該

本項目根據潤滑油精制萃取塔改造的迫切需要，利用先進的測試手段，系統地研究了金屬Intalox等國外引進的新型填料用于低界面張力體系時的兩項流動，軸向返混，傳質特性和設計方法：/line針對高孔隙率新型填料用于低界面張力體系的特點，提出了新的填料萃取塔液泛速度的計算方法，可用于潤滑油精制生產裝置的核算和設計；/line用光導纖維探針式比色計和計算機在線數據采集系統，可靠地測定單項和兩項流動情況下的軸向擴散系數，并用隨機模型成功地進行了關聯；/line通過擬合實測的兩項濃度剖面，求得了文獻中罕見的“真實”體積傳質系數，為在擴散模型的基礎上，比較準確地模擬填料萃取塔的傳質性能提供了依據；/line突破了長期沿用氣-液傳質設備液體分布器的設計方法的局限，研究了對工業填料萃取塔性能具有重要影響的液液分配器的性能和設計方法，編制了優化設計的計算機程序；首次建立了復合型填料萃取塔診斷專家體統，具有一定的實用價值

（專利號：ZL 201510665213.0） 簡介：本發明公開了一種鐵鋁合金制成的螺旋狀高效低阻濾芯，屬于除塵器的濾芯設計領域。該濾芯由鐵鋁合金濾料制成，并彎曲成螺旋狀，濾芯本體由金屬格網支撐。濾芯主要由濾芯本體、排風管、脈沖反吹聯動裝置、頂蓋和閥門等裝置組成，濾芯本體為圓柱狀螺旋式結構，螺旋式濾芯本體孔徑從內到外呈等差數列減小。在實際運行中，煙氣經濾芯逐層過濾后，大部分粉塵被阻留在濾芯外面，凈化后的氣體進入里層濾芯逐層過濾，最終再通過排煙管排入下道工序。本發明解決了目前市場上除塵器除塵效率低、抗高溫、抗硫化性能弱的核心問題。

本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發展是國家重大戰略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規?？煽刂苽?、物性調控及其電子、光電器件展開系統研究，主要技術創新點有： 一、二維半導體材料及其異質結構的大規?？煽刂苽?。本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規模的二維異質結構，得到了具有高可靠性和穩定性的集成器件。相關成果發表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發展高質量硫族半導體的外延生長新工藝，系統研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質，極大地拓展了傳統的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質結光電器件；發展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調節晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現了從深紫外區到中遠紅外區的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質結構的物性調控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創新性的提出多層二維范德華非對稱異質結構，實現了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發展的新途徑。相關成果發表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

項目簡介 本成果處提供一種低阻高通量耐污型水處理膜，以磺化聚醚砜-聚砜/TiO2超濾膜為 模板，以 FeCl2為還原劑，在基膜孔道內原位化學沉積生成 Fe3O4納米粒子，以獲得 Fe3O4/ 磺化聚醚砜-聚砜/TiO2磁性超濾膜，本成果具有阻力小、通量大、耐污染、壽命長等優 點。 產品性能、指標 （1）阻力小，使用 TiO2 與膜材料共混增強膜的親水性，增大膜通量，0.1 MPa 下 水通

衛星在軌運行和返回過程中需經歷極端高低溫環境，構件尺寸的穩定是保證衛星在軌高精度、返回高安全、任務高可靠的關鍵。針對衛星搭載的某寬帶微波載荷與衛星本體材料之間熱膨脹系數不匹配極易導致的載荷在軌及返回過程中載荷接收精度不穩定、信息傳輸不連續等問題。我校陳駿教授團隊以原創的負熱膨脹技術研發了具有輕質、熱膨脹系數低、力學性能優異、尺寸穩定性好的高性能低膨脹鋁基復合材料，并研制了系列關鍵連接內置件、環件等高性能低膨脹構件，首次將負熱膨脹技術應用到我國的衛星上，填補了高性能低膨脹金屬構件在工程應用領域的空白。該技術使得某寬帶微波載荷與衛星本體之間熱膨脹匹配性增強、界面應力大幅度減小，保證了衛星在軌與返回過程中信號高精度傳輸與接收，助力衛星成功返回。 圖1 實踐十九號衛星成功返回（圖片來源國家航天局） 圖2 高性能低膨脹鋁基復合材料及構件應用于全球首顆可重復使用返回式技術試驗衛星（圖片來源央視新聞頻道）

本發明公開了低含量界面相誘導形成三相共連續三元共混物及其制備方法，所述共混物是由40vol％～45vol％的聚偏氟乙烯，40vol％～55vol％的高密度聚乙烯和聚苯乙烯經熔融共混制備得到，其中界面相聚苯乙烯的用量不超過20vol％。本發明還提供了所述低含量界面相誘導形成三相共連續三元共混物的制備方法。本發明加工過程操作簡單、成本低廉。相比二元聚偏氟乙烯/聚苯乙烯共混物，本發明所述三元共混物能夠在聚苯乙烯含量很低的情況下形成連續相結構，這樣的結構拓寬了共混物在低含量下的連續相結構應用以及其潛在的功能化結構設計。