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該項目與南京中電、上海神舟、揚州協(xié)鑫等多家協(xié)同單位合作，開展表面微納米結(jié)構的設計、高效晶硅表面刻蝕劑的研制、大規(guī)模量產(chǎn)工藝技術的突破。

隨著電子封裝技術向著“高密度、薄型化、高集成度”不斷發(fā)展，對聚合物 基電子封裝材料的各項性能提出了更高要求。目前，我國在先進電子封裝材料的 研究和應用上與日本、韓國及歐美發(fā)達國家相比仍有較大差距。團隊通過與無錫 創(chuàng)達新材料股份有限公司、無錫東潤電子材料科技有限公司等企業(yè)開展產(chǎn)學研合 作，研發(fā)了一系列具備自主知識產(chǎn)權、高附加值以及高性能的電子封裝材料用關 鍵助劑，包括環(huán)氧樹脂增韌劑、環(huán)氧樹脂固化促進劑、高性能有機硅樹脂等，并 獲得江蘇省相關科技計劃項目及人才項目的立項支持。相關功能助劑的應用可有 效提升電子封裝材料的性能，對突破國內(nèi)高檔電子封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的技術瓶頸， 提升我國微電子封裝產(chǎn)業(yè)的國際競爭力，具有積極作用。 

成果創(chuàng)新點 發(fā)展綠色友好反應體系，通過核心過程的耦合，實現(xiàn)關 鍵中間體 HMF 百噸級生產(chǎn)新工藝研發(fā)與中試；開發(fā)了基于 HMF 下游新型聚合單體的高選擇性合成，實現(xiàn)合成呋喃聚合材料 單體的高效催化氧化新工藝，在提高反應濃度的同時提高了 產(chǎn)物收率及選擇性，降低反應成本及三廢排放；開展并制備 了呋喃基聚合材料，同時對材料的結(jié)構調(diào)控及結(jié)構性能關系 進行研究，呋喃基聚酯材料 PEF 表現(xiàn)出優(yōu)于石油基材料 PET

本發(fā)明公開了一種非晶基復合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開有陣列通孔的結(jié)構；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時對其實施 超聲振動，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結(jié)合，而且成形過程中不會發(fā) 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復合材料。本發(fā)明還公

該成果通過分子設計構建了一系列芳腈基聚合物，發(fā)明了熒光性、磁性、導電/介電性的芳腈基聚合物與先進功能材料，獲得了中國發(fā)明專利25項。突破了合成控制、產(chǎn)品純化、環(huán)保處理與規(guī)模裝備等關鍵技術，形成了1000噸級聚芳醚腈產(chǎn)業(yè)化合成成果及其系列先進復合材料、薄膜、纖維應用技術；獲得了500噸級的鄰苯二甲腈樹脂合成裝備及耐高溫先進復合材料應用技術。取得的大部分發(fā)明成果近三年共產(chǎn)生經(jīng)濟效益超過10億元，取代了部分相關產(chǎn)品的進口。

本發(fā)明公開一種制備納米陶瓷顆粒增強鋁基復合材料的方法。 首先將納米陶瓷粉、微米級鋁或鋁合金粉混合粉末在真空或氬氣保護 下，通過干式高能球磨制備出納米陶瓷顆粒體積分數(shù)為 10～50％的毫 米級復合顆粒。然后將毫米級復合顆粒直接熔化或者添加到鋁或鋁合 金熔體中，并施加超聲振動，促進納米陶瓷顆粒在金屬熔體中的均勻 分散，制備出納米陶瓷顆粒增強鋁基復合材料。本發(fā)明中干磨法制得 的毫米級復合顆粒可以很容易地完全加入到金屬熔體中

發(fā)展綠色友好反應體系，通過核心過程的耦合，實現(xiàn)關鍵中間體 HMF 百噸級生產(chǎn)新工藝研發(fā)與中試；開發(fā)了基于 HMF 下游新型聚合單體的高選擇性合成，實現(xiàn)合成呋喃聚合材料單體的高效催化氧化新工藝，在提高反應濃度的同時提高了產(chǎn)物收率及選擇性，降低反應成本及三廢排放；開展并制備了呋喃基聚合材料，同時對材料的結(jié)構調(diào)控及結(jié)構性能關系進行研究，呋喃基聚酯材料 PEF 表現(xiàn)出優(yōu)于石油基材料 PET的結(jié)構性能。 主要產(chǎn)品預期可實現(xiàn)參數(shù)指標：1） 建成千噸級呋喃基新材料單體 FDCA 產(chǎn)業(yè)化示范工程，單體 FDCA 純度達到聚合級，生產(chǎn)成本控制在 15 萬/噸以內(nèi)； 2）建立呋喃基新材料產(chǎn)品質(zhì)量標準和性能評價標準，對比傳統(tǒng)聚酯材料隔水性能提高 2 倍，隔氧性能提高10 倍； 3） 進行呋喃聚酯、聚酰胺材料工程應用實驗，完成 1-2 項終端應用產(chǎn)品設計開發(fā)。 

隨著電子封裝技術向著“高密度、薄型化、高集成度”不斷發(fā)展，對聚合物基電子封裝材料的各項性能提出了更高要求。目前，我國在先進電子封裝材料的研究和應用上與日本、韓國及歐美發(fā)達國家相比仍有較大差距。團隊通過與無錫創(chuàng)達新材料股份有限公司、無錫東潤電子材料科技有限公司等企業(yè)開展產(chǎn)學研合 作，研發(fā)了一系列具備自主知識產(chǎn)權、高附加值以及高性能的電子封裝材料用關鍵助劑，包括環(huán)氧樹脂增韌劑、環(huán)氧樹脂固化促進劑、高性能有機硅樹脂等，并獲得江蘇省相關科技計劃項目及人才項目的立項支持。相關功能助劑的應用可有效提升電子封裝材料的性能，對突破國內(nèi)高檔電子封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的技術瓶頸，提升我國微電子封裝產(chǎn)業(yè)的國際競爭力，具有積極作用。

單層半導體性過渡族金屬硫?qū)倩衔铮∕X2: MoS2, WS2 等）是繼石墨烯之后備受關注的二維層狀材料。該類材料具有優(yōu)異的電學性質(zhì)、強的光物相互作用、高效的催化特性等，在光電子學器件、傳感器件、電催化產(chǎn)氫等領域具有非常廣闊的應用前景。單層MX2 材料的批量制備和高品質(zhì)轉(zhuǎn)移是關鍵的科學問題。現(xiàn)有方法仍面臨著諸多重大挑戰(zhàn)，例如，難以實現(xiàn)晶圓尺寸的層數(shù)均勻性、單晶疇區(qū)小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉(zhuǎn)移過程復雜、容易引入污染物等。北京大學張艷鋒課題組是國內(nèi)較早開展相關研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產(chǎn)氫應用方面取得了一系列重要進展：基于范德華外延的機理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在藍寶石上獲得了大疇區(qū)單層WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；發(fā)展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實現(xiàn)了疇區(qū)尺寸可調(diào)單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態(tài)、電子結(jié)構和電催化析氫之間的構效關系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰寫綜述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他們在大尺寸均勻MoS2的批量制備以及“綠色”轉(zhuǎn)移方面取得重要進展。他們選用廉價易得的普通玻璃作為基底，創(chuàng)新性地采用Mo箔作為金屬源(與S粉共同作為前驅(qū)體)，采用“face-to-face”的金屬前驅(qū)體供給方式，實現(xiàn)了前驅(qū)體在樣品上下游的均勻供應，使得樣品尺寸可以得到最大限度的放大(僅受限于爐體尺寸)，獲得了對角線長度可達6英寸的均勻單層MoS2; 結(jié)合DFT理論計算和系統(tǒng)的實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)，玻璃基底上微量的Na對材料生長起到明顯的促進作用, Na傾向于吸附在MoS2疇區(qū)的邊緣，起到顯著降低MoS2拼接生長能壘的作用，從而促進其快速生長。 獲取滿覆蓋單層樣品的生長時間僅為8 min，單晶疇區(qū)邊緣尺寸可達0.5 mm。此外，他們利用玻璃基底的親水特性，發(fā)展了一種無刻蝕的、僅利用超純水輔助的“綠色”轉(zhuǎn)移方法。該方法適用于晶圓尺寸樣品的快速轉(zhuǎn)移，且具有操作簡單，轉(zhuǎn)移樣品質(zhì)量高等明顯優(yōu)勢。該工作提出了利用廉價的普通玻璃基底來制備大面積、晶圓尺寸均勻、大疇區(qū)單層MoS2的新方法/新途徑，并深入分析了其生長機制，為相關二維材料的批量制備和高效轉(zhuǎn)移提供了重要的實驗依據(jù)，對于推動該類材料的實際應用具有非常重要的意義。

作為TFT液晶材料的“領軍者”，偕二氟雙環(huán)己烷的市場前景可想而知。目前，該材料技術由日本壟斷，本項目新技術的出現(xiàn)將有望打破該格局，為本土TFT液晶材料研究和產(chǎn)業(yè)化作出貢獻。