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在二維極限下的高溫超導體中對零能束縛態的研究
通過超高真空分子束外延技術，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導轉變溫度大約在60 K左右，并通過原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術對其中的超導配對機制進行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無近鄰Fe原子團簇。系統的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實驗發現，對特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強度[數量占比約13% (15%)]，Fe吸附原子上可觀測到尖銳的零能電導峰（圖1）。該電導峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長度~3 A，且遠離吸附原子時不劈裂。變溫實驗表明，零能電導峰在遠低于超導轉變溫度時即消失，可初步排除Kondo效應、常規雜質散射態等解釋（圖2A和圖2B）。進一步的控制實驗和分析顯示，零能電導峰半高寬嚴格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標度方程，這些結果均與馬約拉納零能模的唯象學特征吻合（圖2C-圖2G）。對沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結果基本相同。相比于單層FeSe，統計結果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測到零能束縛態的幾率更高且信號更強。波士頓學院汪自強教授和合作者曾在理論上提出，無外加磁場時，強自旋-軌道耦合s波超導體間隙磁雜質可產生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對稱破缺而具有較強的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時間反演對稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預測存在拓撲非平庸相。在二維拓撲超導體中，馬約拉納零能模也會產生于Fe原子誘導的量子反常渦旋中的束縛態。因此，實驗中觀測到的零能電導峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進一步的實驗和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導材料從三維拓展到二維、從低溫超導拓展到超過40 K超導轉變溫度的高溫超導體系，同時無需外加磁場，觀測到的零能束縛態原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優勢為未來實現可應用的拓撲量子比特提供了可能的方案。
北京大學
2021-04-11
一種二氧化碳濃度修正的呼出氣多組分檢測儀
本實用新型公開了一種二氧化碳濃度修正的呼出氣多組分檢測儀，該檢測儀包括過濾瓶、載氣氣泵、干燥管、進樣氣泵、樣品環、第一兩相三通電磁閥、第二兩相三通電磁閥、第三兩相三通電磁閥、色譜柱和檢測氣室，連通后分別構成進樣通路、清洗通路和檢測通路。所述檢測氣室為長方體結構，開有PCB板槽、MOS傳感器槽、二氧化碳傳感器槽、測溫孔、氣體反應室等。傳感器可快速給出響應并恢復基線，輸出響應經信號處理與計算后，得出氫氣、甲烷濃度，并可根據二氧化碳濃度進行修正，降低樣本采集限制條件，減少呼氣采集等人為因素造成的誤差。該儀器功能完善，體積小，操作簡便，準確性、穩定性、重復性較高，用戶交互友好，有利于大規模臨床應用的推廣。
浙江大學
2021-04-13
用于高效催化水解二硫化碳和羧基硫的多核鈀簇合物催化劑
北京工業大學
2021-04-14
通過分子工程調控實現高選擇性二氧化碳電還原轉化
基于MDE具有明確活性中心結構的特點，團隊進一步結合原位/在線X射線吸收光譜和理論計算深入揭示了取代基調控催化劑性能的機理（圖3）。研究團隊發現，NiPc MDEs的CO2還原起峰電位與Ni中心的部分還原緊密相關，而不簡單取決于理論計算中的反應能壘。氰基（CN）取代可以使分子更容易被還原，因此具有更正的起峰電位。此外，OMe取代可以提高催化過程中Ni-N鍵強度并促進CO中間體脫附，從而提高催化劑穩定性。
南方科技大學
2021-04-14
氧化物抑制層輔助二維MoX2 (X=S, Se, Te)單層的可控生長
高質量鉬系硫族化合物單層材料的CVD生長一直受限于難以控制的化學動力學條件，其中最為重要的是對于Mo蒸汽釋放的合理調控。近日，課題組在傳統的MoO 3
南方科技大學
2021-04-14
納米銀包裹二氧化硅納微米球導電粉末及其制備方法和應用
本發明公開了一種納米銀包裹二氧化硅納微米球導電粉末及其制備方法和應用。采用二氧化硅納微米球表面預處理法，通過―晶核-生長‖理論控制納米銀顆粒在二氧化硅納微米球表面的沉積:先將二氧化硅納微米球在 SnCl2·2H2O/CF3COOH 溶液中進行表面處理;然后將處理后的 SiO2 納微米球分散在乙醇中，倒入新配制的硝酸銀和三乙醇胺的絡合溶液中;最后，加入甲醛水溶液進行還原。所用的二氧化硅納微米球，粒徑大小在 0.
武漢大學
2021-04-14
一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種激光打印機高質量文字輸出的二位半色調方法
本發明公開了一種激光打印機高質量文字輸出的二位半色調方法，以用戶輸入的待打印文件作為輸 出源文件，與調幅閾值矩陣做第一次對比，生成只有兩種曝光狀態的半色調文件。第二次對比前先取特 征邊緣點，然后待打印文件相應位置的灰度值與灰度等級的中值做第二次對比，生成四種曝光狀態的半 色調文件。最后根據半色調文件控制半曝光激光打印機進行輸出。本發明有效地改善在輸出時文字邊緣 的顯示效果，二位半色調方法調整效果顯著。
武漢大學
2021-04-14
二氧化硅中空微球的產業化生產與結構調控關鍵技術
本團隊采用新型結構導向技術來實現亞微米和納米二氧化硅中空微球的溶膠凝膠法和沉淀法高濃度制備，能夠滿足大規模工業生產的需要，并能對其納米殼層結構進行精準調控，為相關功能材料的性能設計提供合成技術基礎。現有二氧化硅中空微球制備技術的投資成本高、設備生產率低、控制難度大，無法在工業規模上對其特有的納米結構進行精準調控，嚴重限制了中空微球在高端產業中的應用。本團隊基于全新的中空結構導向技術，在間歇反應釜中通過溶膠凝膠法和沉淀法實現中空微球的高密度、大批量生產，具有設備生產率高、微球結構規整、壁厚可控、容易復合改性等優點，突破了中空微球規模化生產的技術瓶頸。通過改變導向劑分子結構和生產工藝微調，可在 50-400 納米范圍內對中空微球的壁厚進行精準調控，使其對不同波長的光信號產生各種響應，并能通過控制中空和多孔結構調節比表面積、導熱系數、阻尼特征、機械強度等性能，滿足不同功能材料領域的要求。該技術還可以實現脂溶性物質或納米顆粒與二氧化硅的復合，制備出具有功能多樣性的復合中空微球， 如將氧化錫銻（ATO）與二氧化硅中空微球復合，可制備兼具紫外光、可見光、近紅外反射和隔熱功能的復合中空微球保溫填料。
華南理工大學
2023-05-09