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氧化鎵襯底晶片
氧化鎵襯底晶片● 大功率高能半導體器件：電磁軌道炮、艦載電磁彈射系統等● 日盲探測類：大火監測、雷達預警、近地空間通訊器件等● 高功率LED器件：高亮度、超大功率、科研考察探測設備等● 特高壓輸電、城市軌道及交通功率器件
青島嘉星晶電科技有限公司
2021-08-30
厭氧氨氧化
青島思普潤水處理股份有限公司
2021-09-02
燃燒合成氮化硅基陶瓷的產業化技術
在高技術陶瓷領域，先進陶瓷占有極其重要的地位，在諸多的先進陶瓷中，氮化硅基先進陶瓷以其高強度、高韌性、高的抗熱震性、高的化學穩定性在先進陶瓷中占有獨特的地位，是公認的未來陶瓷發動機中最重要的侯選材料。并且在國際上氮化硅陶瓷刀具和氮化硅基陶瓷軸承已經形成相當規模的產業。任何一個跨國刀具公司都有氮化硅基陶瓷刀具的系列產品，足見其在機加工行業中具有不可替代的地位。 但是，影響氮化硅陶瓷推廣的一個主要因素，是氮化硅粉末價格昂貴，這是由于傳統的制取氮化硅粉末的方法耗能高，生產周期長，生產成本高。本項目采用具有自主知識產權的創新的燃燒合成技術，制取氮化硅陶瓷粉末和氮化硅復合粉末，具有耗能低，生產周期短，雜質含量低，生產成本低等特點，具有廣泛的應用前景。 燃燒合成（Combustion Synthesis，CS）又名自蔓延高溫合成（Self- Propagating High-Temperature Synthesis，SHS），是利用化學反應自身放熱合成材料的新技術，基本上（或部分）不需要外部熱源，通過設計和控制燃燒波自維持反應的諸多因素獲得所需成分和結構的產物。 自1990年以來，本項目負責人等針對燃燒合成氮化硅陶瓷產業化的一系列關鍵問題，在氣-固體系氮化硅基陶瓷的燃燒合成熱力學、動力學和形成機制等方面進行了深入研究后得到的創新成果。 采用本項目的技術，可以生產符合制作先進陶瓷要求的從全α-Si3N4相到高β- Si3N4相，及不同配比的氮化硅粉末，還可根據用戶要求，用此技術生產α-Sialon，β-Sialon和其它各種氮化硅基的復合粉末。粉末的質量優良而穩定。 應用于航天、航空及機械行業等，用于制作氮化硅陶瓷刀具、氮化硅基陶瓷軸承、耐磨耐腐陶瓷涂料等。
北京科技大學
2021-04-11
新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法
（專利號：ZL 201310038265.6） 簡介：本發明公開一種新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法，屬于寬禁帶半導體技術領域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構成，在所述襯底的硅面上有一層導電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導電類型的摻雜層，從內到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側設置有開關的陽極
安徽工業大學
2021-01-12
節能環保顆粒氧化鉛移動床深度氧化快速冷卻
該技術以油代電、在移動床中實現深度氧化和快速冷卻，設備密閉，過程連續，是生產顆粒氧化鉛的國際首創全新技術。東南大學在實驗室研究、數學模型研究的基礎上，與江蘇天鵬化工集團有限公司合作，開發出顆粒氧化鉛移動床深度氧化煅燒和快速冷卻新技術，設計了兩套年產各為1500噸的生產裝置，經過調試，各項技術指標均達到設計要求。在此基礎上，經過工業試驗和審慎的放大設計，2000年兩套年產各為15000噸的放大裝置相繼投入生產。
東南大學
2021-04-10
高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法
本發明公開了一種高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法，以還原性多糖為原料在氧化劑的作用下制取水凝膠，采用如下的工藝條件：以高碘酸鈉作為氧化劑，以至少一種以下物質：鹽酸、硫酸、磷酸、醋酸、甲酸、檸檬酸、具有Lewis酸性質的綠色溶劑離子液為催化劑；調節體系的pH在酸性范圍在室溫下避光反應4小時，經后處理得到不同氧化度的天然高分子多糖高強度水凝膠。本發明方法獲得的產品具有氧化度高，與其它反應物之間的交聯更加容易，形成的化學鍵更加牢固的優點，能形成高強度水凝膠，并且凝膠的降解速率可以得到控制，適合用于制備骨組織功能材料。
西南交通大學
2016-07-05
乙二胺|日本東曹乙二胺|美國亨斯曼乙二胺|含量99%乙二胺
產品詳細介紹我公司長期供應乙二胺，日本東曹乙二胺，美國亨斯曼乙二胺，含量99%乙二胺，韓國原裝進口，含量99%以上 質優價廉，保證供應，如有需要歡迎來電垂詢
乙二胺 含量99% 日本/美國 180KG/鐵桶
聚乙二醇300,400,600 韓國湖南石化 230KG/鐵桶 原裝
聚乙二醇4000,6000 韓國湖南石化 25KG/包 原裝
AEO9,AEO7,AEO3 含量99% 韓國湖南石化 200KG/鐵桶 原裝
甲氧基聚乙二醇 MPEG1000 1200 韓國湖南石化 220KG/鐵桶 原裝
丙二醇 醫藥級 含量99.9% 韓國SKC 215KG/鐵桶 原裝
一乙醇胺 含量99% 韓國KPX 210KG/鐵桶 原裝
二乙醇胺 含量99% 臺灣東聯,韓國 220KG/鐵桶 原裝
NP-10 含量99% 韓國湖南石化 200KG/鐵桶 原裝
雙氰胺 含量99.5% 寧夏 25KG/包 原裝
四氫呋喃 含量99.9% 臺灣南亞 180KG/鐵桶 原裝
1,4丁二醇 含量99% 臺灣大連 200KG/鐵桶 原裝
異辛酸 含量99% 德國OXEA 185KG/塑料桶
間苯二甲酸 含量99% 新加坡，日本 25KG/包 原裝
三羥甲基丙烷 含量99% 日本三菱，美國 25KG/包 原裝
已二酸 含量99.8% 遼化 500KG/包 原裝
新戊二醇 含量99% 日本三菱 25KG/包 原裝
烏洛托品 含量99% 河南 25KG/包 原裝
線性體 PMX-0156 美國道康寧 200KG/鐵桶 原裝
硬脂酸（十八酸）1801 顆粒狀 馬來天然油脂 25KG/包 原裝
硬脂酸 椰樹牌 PALMAC630 馬來酸化學 25KG/包 原裝
月桂酸(十二酸) 含量99% 片狀 馬來天然油脂，印尼丸紅 25KG/包 原裝
月桂酸 椰樹 含量99% 片狀 馬來酸化學 25KG/包 原裝
肉豆蔻酸(十四酸) 含量99% 馬來西亞 25KG/包 原裝
甘油 醫藥級含量99.7% 印尼春金，馬來天然油脂 250KG/鐵桶 原裝
冰醋酸 含量99.80% 鎮江索普200KG/塑料桶 凈水
環氧氯丙烷 含量99.90% 山東 240KG/桶
己二胺 含量99.70% 河南神馬 160KG/鐵桶
乙二胺 含量99% 日本/美國 180KG/鐵桶
二乙烯三胺 含量99% 日本東曹 190KG/包
無錫市多利佳貿易有限公司
2021-08-23
第五屆教創賽同期活動預告：教師教學能力提升系列交流活動之二 新時代拔尖創新人才自主培養的思考與實踐學術活動
踐行強國育人使命 培育時代創新英才
高等教育博覽會
2025-07-30
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10