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解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?
北京大學
2021-04-11
甲基硅氧烷大氣轉化導致低揮發性物種及高產率甲醛的形成
該研究發現一種新的過氧自由基自氧化機制，闡明甲基硅氧烷大氣轉化會生成甲醛，增加其釋放的環境風險。該研究不僅拓展了對大氣過氧自由基化學的理解，還為甲基硅氧烷環境行為模擬和風險評估提供了重要的基礎數據。
大連理工大學
2021-01-12
區域大氣污染源高分辨率排放清單關鍵技術與應用
北京工業大學
2021-04-14
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調透光率薄膜
本發明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學介質層的兩個外表面上；在加電態下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的陣列化納電場驅控，向各納電場中電場強度最強部位聚集。本發明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調透光率薄膜
本發明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態下，陰極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的電場驅控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學
2021-04-14
一種時間分辨率自適應調整的流場狀態測量方法
本發明公開了一種時間分辨率自適應調整的流場狀態測量方法，該方法包括如下步驟：首先，根據第 k+1 時刻圖像與第 k 時刻圖像之間的時間間隔Δt<sub>k</sub>，采集第 k+1 時刻圖像，并對第 k 時刻和第k+1 時刻的圖像進行降噪處理；然后，據 k 時刻圖像和第 k+1 時刻的圖像，采用粒子圖像測速方法，計算第 k+1 時刻的流場狀態 X(k+1)，包括：位移場 x(k+1)、速度場 x′(k+1)、加速度場 a(k+1)，并輸出顯示；最后，更新第 k+2 時刻與第
華中科技大學
2021-04-14
一種具有高單模成品率的漸變脊波導分布反饋激光器
一種高單模成品率的分布反饋激光器，包括激光諧振腔、布拉 格光柵；布拉格光柵為啁啾光柵或者等效的啁啾光柵，并位于諧振腔 內，其等效折射率沿諧振腔腔長方向是變化的；該激光器的模式增益 沿諧振腔腔長方向變化；該激光器輸出單縱模。本發明由于采用啁啾 光柵或者等效的啁啾光柵，同時使激光器的模式增益沿腔長方向變化， 并通過在激光器兩端面分別鍍高反膜和增透膜配合，能夠提高激光器 在布拉格阻帶指定的一邊，即藍邊或者紅邊光激射的概率，
華中科技大學
2021-04-14
一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續變化的方法
本發明公開了一種通過施加低電平脈沖實現微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續變化的控制方法，包括控制非晶化率連續單調增大 和連續單調減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應變化精確控制焦耳熱產生，繼而實 現 GST 相變材料晶化率的連續變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續脈沖；在連續脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材
華中科技大學
2021-04-14
一種基于多源遙感數據的城市不透水層率息提取方法
一種基于多源遙感數據的城市不透水層信息提取方法，包括根據夜間燈光亮度影像，計算歸一化燈 光亮度并基于閾值分割方法對城市地表進行區域類型分割;利用燈光亮度、陸地表面溫度與歸一化土壤 調節植被指數，構建增強型歸一化不透水層指數;通過建立每一種類型分割區域的增強型歸一化不透水 層指數 MNDISI 與不透水層率之間的線性定量關系，進行不透水層的提取工作。本發明較好地結合了多 源遙感數據的優勢，有效抑制了光譜混淆對于不透水層率估算結果的不利影響，為城市土地利用和環境 變化監測提供了一種新的途徑。
武漢大學
2021-04-13
可變溫霍爾效應測試儀高低溫磁場型0.1GS分辨率
霍爾效應測試儀—高低溫磁場型本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。為本儀器系統專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。
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產品概述：
本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。為本儀器系統專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。
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可測試材料: Ø
半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；
低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；
高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-05-10