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超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料
技術(shù)特點(diǎn)超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料（容重≤170kg/m3）以普通建筑石灰及天然粉石英為基本原料，采用高壓水熱動態(tài)法生產(chǎn)。是我國首次自主開發(fā)的適合我國國情的超輕型產(chǎn)品，采用全天然原料，以最低的成本實(shí)現(xiàn)了批量工業(yè)生產(chǎn)。其各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過日本JISA9510-1984 標(biāo)準(zhǔn)。是目前所有無機(jī)硬質(zhì)保溫材料中容重最小，導(dǎo)熱系數(shù)最低的一種，同時(shí)具有較高的強(qiáng)度。其耐熱溫度為 1000℃，在常見的保溫材料中也是較高的一種，因此可以在許多場合取代輕質(zhì)耐火磚、輕質(zhì)澆注料、珍珠巖制品、蛭石制品、礦棉、玻璃棉制品及耐火纖維制品
北京科技大學(xué)
2021-04-13
超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料
1．技術(shù)特點(diǎn) 超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料（容重≤170kg/m3）以普通建筑石灰及天然粉石英為基本原料，采用高壓水熱動態(tài)法生產(chǎn)。是我國首次自主開發(fā)的適合我國國情的超輕型產(chǎn)品，采用全天然原料，以最低的成本實(shí)現(xiàn)了批量工業(yè)生產(chǎn)。其各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過日本JISA9510-1984標(biāo)準(zhǔn)。是目前所有無機(jī)硬質(zhì)保溫材料中容重最小，導(dǎo)熱系數(shù)最低的一種，同時(shí)具有較高的強(qiáng)度。其耐熱溫度為1000℃，在常見的保溫材料中也是較高的一種，因此可以在許多場合取代輕質(zhì)耐火磚、輕質(zhì)澆注料、珍珠巖制品、蛭石制品、礦棉、玻璃棉制品及耐火纖維制品。 本材料本項(xiàng)目所開發(fā)的170硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料本產(chǎn)品樣品檢測結(jié)果如下： 容重： 170kg/m3 導(dǎo)熱系數(shù)： 0.045W/m×K(70℃) 抗折強(qiáng)度： 0.29MPa 最高使用溫度： 1000℃ (1000℃×3小時(shí)燒后線收縮1.04％) 2．技術(shù)成熟程度 已實(shí)現(xiàn)批量工業(yè)生產(chǎn)，并成功地進(jìn)行了應(yīng)用試驗(yàn)。 3．應(yīng)用范圍 適用于建材、冶金、石油、化工、電力、輕工等行業(yè)熱工設(shè)備的絕熱保溫，屬環(huán)境友好型材料。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
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一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法
本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內(nèi)的光信號實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進(jìn)行測量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單緊 湊，對光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨出波長 的同時(shí)，還能對入射光束的偏振態(tài)進(jìn)行測量，適用范圍更廣。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時(shí)可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實(shí)現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因?yàn)槠溟g接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實(shí)現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學(xué)
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法
本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內(nèi)的光信號實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進(jìn)行測量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單緊 湊，對光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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多晶硅太陽能光伏電池成套設(shè)備
該項(xiàng)目針對多晶硅太陽能光伏電池成套設(shè)備中太陽能光伏電池絲網(wǎng)印刷、自動光學(xué)檢測系統(tǒng)、燒結(jié)系統(tǒng)、自動分揀系統(tǒng)等高端設(shè)備進(jìn)行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，形成了晶硅太陽能光伏電池生產(chǎn)線和成套設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)能力，打破了國外相關(guān)高端設(shè)備的壟斷局面，為我省相關(guān)產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展提供技術(shù)支撐。該成套設(shè)備具有完全自主知識產(chǎn)權(quán),聯(lián)合體已擁有發(fā)明專利8件,實(shí)用新型專利21件。 該項(xiàng)目的特色與創(chuàng)新之處主要體現(xiàn)在如下幾個(gè)方面：1）基于視覺的高速精密定位理論與技術(shù)；2）有效降低破損率的高速、高精度印刷技術(shù)；3）均勻熱場形成技術(shù)
華南理工大學(xué)
2021-04-14
一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)的制備方法
本發(fā)明公開了一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)的制備方法，步驟為①將鍵合硅器件晶圓鍵合于硅晶圓基板上；②減薄硅器件晶圓，再刻蝕硅器件晶圓，形成盲孔；③在硅器件晶圓上涂敷一層圖案化介電材料(如聚對二甲苯)；④刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁；在基板上形成介電質(zhì)孔，使介電質(zhì)孔和盲孔同軸；⑤在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，作為導(dǎo)電層，形成導(dǎo)電孔；⑥在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層；⑦移除基板，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點(diǎn)。本發(fā)明簡化了工藝步驟，減少工藝時(shí)間并降低了費(fèi)用；降低了寄生電容，提升了互連電性
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)
一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長選擇開關(guān)輸出端
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)
一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長選擇開關(guān)輸出端
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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硅薄膜太陽電池集成組件的制備技術(shù)
本發(fā)明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結(jié)構(gòu)和制備技術(shù)，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術(shù)。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結(jié)構(gòu)的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關(guān)鍵工藝——子電池內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結(jié)合濕法腐蝕ZnO的方法，實(shí)現(xiàn)具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太
南開大學(xué)
2021-04-14