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隨著微電子行業(yè)等微型化科技的快速發(fā)展，薄膜材料得到廣泛應(yīng)用。薄膜電池作為微型電源器件具有廣闊發(fā)展空間。薄膜材料對于硅基負極而言，其短程儲鋰深度和單向膨脹的優(yōu)勢能夠有效克服硅基材料的本征導電率低和體積膨脹大的問題。開發(fā)無需粘結(jié)劑的硅基負極薄膜材料對于薄膜負極發(fā)展意義深遠。項目通過物理沉積方法，實現(xiàn)電極結(jié)構(gòu)設(shè)計與導電型材料復合，改善硅基材料低導電率問題，優(yōu)化硅基材料體積膨脹緩沖空間，從而完成無粘結(jié)劑硅基材料制備和倍率、循環(huán)等性能的提高。

本產(chǎn)品為一種改性有機硅柔軟劑，主要用于織物的后整理，給予織物柔軟、滑爽等手感。氨基硅油作為一種織物柔軟劑，不僅對棉、毛、麻等天然纖維有較好的柔軟手感，對合成纖維也有較好的柔軟效果。但經(jīng)氨基硅油整理后的織物也存在親水性差、經(jīng)光線照射后容易黃變的缺點，從而不能用于對淺色織物的后整理。本產(chǎn)品對氨基硅油直接進行醇基化改性，產(chǎn)品既保留了部分未改性的氨基硅油，又引入了羥基親水基團。經(jīng)過本產(chǎn)品處理過的織物，既有經(jīng)過氨基硅油處理后的手感特點又可改善織物的染色性、耐熱性和耐水性。同時氨基硅油中容易氧化黃變的氨基被部分親水基團醇基取代，增加了織物的親水透氣性，降低了處理后織物的黃變。

本發(fā)明公開了一種深硅刻蝕方法，包括如下步驟：（1）在硅片表面制備圖形化的光刻膠掩膜；（2）對硅片進行深感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，包括多個刻蝕階段，每個刻蝕階段均在感應(yīng)耦合等離子體機內(nèi)，通過鈍化、轟擊和刻蝕三個步驟交替循環(huán)加工完成，隨著刻蝕深度的增加，各刻蝕階段中轟擊步驟的轟擊強度逐漸增強。本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)壁垂直度及粗糙度難以控制以及大刻蝕深度難以實現(xiàn)的問題，在提高刻蝕效率的同時，提高了對光刻膠的選擇比，刻蝕槽側(cè)壁垂直度高，粗糙度小，刻蝕深度大。

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品。現(xiàn)擁有14條國際先進的拉管生產(chǎn)線，70余臺國際先進的制瓶機，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

本發(fā)明公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟：將硅片的厚度減薄至 5 微米至 20 微米；去除硅片表面的所有絕緣層；在硅片的導電區(qū)表面和絕緣區(qū)表面制作摻雜掩膜，以對導電區(qū)和絕緣區(qū)分別進行粒子摻雜，絕緣區(qū)與導電區(qū)摻雜的粒子的極性相反；在粒子摻雜完成后去除摻雜掩膜；在導電區(qū)表面覆蓋金屬電極；在硅片的表面除金屬電極之外的區(qū)域覆蓋絕緣層。本發(fā)明的方法制造工藝簡單，可避免刻蝕、絕緣處理等工藝對硅片的破壞，并能夠提高制造硅通孔結(jié)構(gòu)的成品率。本發(fā)明還公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)。

性能指標    型號 LS30 LS50 LS80 LS100 LS120 LS150 粒徑（nm） 30-40 50-60 80-90 100-110 110-120 140-160 SiO2（%） 30-50 Na2O（%） ≤0.4 pH 9.5-10.5 保質(zhì)期（月） ≥12 ★主要用于配制拋光液，用于晶片、金屬、陶瓷等表面拋光。還可用于特種涂層★pH值可在3-11范圍內(nèi)定制

本發(fā)明公開了一種用于多晶硅鑄錠爐的隔熱塊，設(shè)置在多晶硅鑄錠爐的坩堝底部外周，用于坩堝加熱或冷卻多晶硅過程中的隔熱保溫，該隔熱塊為中空方形筒體結(jié)構(gòu)，筒體筒壁為中空夾層結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)壁用于包覆設(shè)置在坩堝底部的熱交換塊外周壁面，且該內(nèi)壁與所述熱交換塊外周壁面具有間隙，所述外壁用于與設(shè)置在坩堝外圍的豎直隔熱板固定接觸，所述坩堝中心線、熱交換塊中心線以及隔熱塊中心線重合，且所述隔熱塊頂部低于熱交換塊頂部。本發(fā)明還公開了具有

首次使用炔烴作為卡賓前體完成了一例不對稱Si-H鍵插入反應(yīng)，高效構(gòu)筑了一類新型手性有機硅化合物。該反應(yīng)使用手性羧酸雙銠催化劑，首先促進羰基-烯-炔底物發(fā)生分子內(nèi)環(huán)化現(xiàn)場生成雙芳基金屬卡賓，該金屬卡賓中間體進而對硅烷的Si-H鍵發(fā)生高對映選擇性的插入反應(yīng)，給出相應(yīng)的手性有機硅化合物。該反應(yīng)的條件溫和，底物適用范圍廣，大部分產(chǎn)物的ee值都能達到90%以上。所得的手性烯丙基硅產(chǎn)物能夠進一步轉(zhuǎn)化，例如發(fā)生烯丙基乙酰化反應(yīng)，對映選擇性能夠得到很好的保持，因此在有機合成中具有一定的應(yīng)用潛力。動力學實驗表明，反應(yīng)對雙銠催化劑、硅烷展現(xiàn)出一級動力學效應(yīng)，對底物則表現(xiàn)出零級動力學特征，說明銠卡賓對Si-H鍵的插入步驟是反應(yīng)的決速步，這與動力學同位素實驗的結(jié)果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烴作為卡賓前體同樣可以發(fā)生高對映選擇性的Si-H鍵插入反應(yīng)，結(jié)合炔烴化學在從簡單原料構(gòu)筑復雜產(chǎn)物上的優(yōu)勢，為結(jié)構(gòu)多樣性有機硅化合物的合成提供了新的方向。

傳統(tǒng)的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應(yīng)紫外波段的光信號，這是因為紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術(shù)的日趨發(fā)展，人們越來越需要對紫外波段進行更深的探測分析與認識。紫外探測技術(shù)是繼激光探測技術(shù)和紅外探測技術(shù)之后發(fā)展起來的又一軍民兩用光電探測技術(shù)。幾十年來，紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學等諸多領(lǐng)域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應(yīng)用最廣泛的光電探測器件。當前最先進的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD、CMOS具有靈敏度強、噪聲低、成像質(zhì)量好等優(yōu)點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應(yīng)都很弱。成像器件的這種紫外弱響應(yīng)限制了其在先進光譜儀器及其他領(lǐng)域紫外波段探測的使用。 在技術(shù)發(fā)達國家,寬光譜響應(yīng)范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高檔光譜儀器中。上世紀中葉美國Varian公司開發(fā)的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達0.01nm,光波長在600nm和300nm時QE分別達到了84%和50%；美國熱電公司開發(fā)的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應(yīng)范圍更是達到165～1000nm，在200nm時的分辨率達到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達0.0035nm,紫外響應(yīng)拓展到120nm的遠紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀一維色散和22個CCD檢測器設(shè)計，其光譜響應(yīng)范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續(xù)光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達0.002nm,光譜響應(yīng)范圍為189—900 nm。總而言之，發(fā)達國家在寬光譜響應(yīng)和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領(lǐng)域已取得相當?shù)某删汀Ｖ饕夹g(shù)指標和創(chuàng)新點（1）  我們在國內(nèi)首次提出紫外增強的硅基成像器件，并在不改變傳統(tǒng)硅基成像探測器件的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用鍍膜的方法增強成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應(yīng)，使其光譜響應(yīng)范圍拓寬到190—1100nm，實現(xiàn)對190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達到0.1V/lex.s。（3）  增強成像探測器件的紫外響應(yīng)的同時，盡量不削弱探測器件對可見波段的響應(yīng)。（4）  選用適合的無機材料，克服有機材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學等諸多領(lǐng)域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設(shè)計與傳統(tǒng)CCD、CMOS結(jié)合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應(yīng)探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應(yīng)范圍，在科學實驗和物質(zhì)分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設(shè)計樣品能取代傳統(tǒng)CCD、CMOS，應(yīng)用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統(tǒng)光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實現(xiàn)紫外探測和紫外分析。具有較強的市場推廣應(yīng)用價值。

北京大學物理學院“極端光學創(chuàng)新研究團隊”王劍威研究員和龔旗煌院士領(lǐng)導的課題組，與英國、丹麥、奧地利和澳大利亞的學者合作，實現(xiàn)了硅基集成光量子芯片上的多體量子糾纏和芯片-芯片間的量子隱形傳態(tài)功能，為芯片上光量子信息處理和計算模擬的應(yīng)用，奠定了堅實的基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果于近日發(fā)表在國際頂級物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技術(shù)，結(jié)合了量子物理、量子信息和集成光子學等前沿學科，通過半導體微納加工制造高性能且大規(guī)模集成的光量子器件，實現(xiàn)對光量子信息的高效處理、計算和傳輸?shù)裙δ堋Ｆ渲校霉杌矫婀獠▽Ъ杉夹g(shù)的光量子芯片具有諸多獨特優(yōu)勢，包括集成度高、穩(wěn)定性好、編程操控性優(yōu)越和可單片集成核心光量子器件等，因此被認為是一種實現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的重要手段之一。 A. 硅基量子隱形傳態(tài)和多光子量子糾纏芯片的示意圖，左上角為集成量子光源的電子顯微鏡圖；B. 量子隱形傳態(tài)的量子線路圖；C. 量子糾纏互換的量子線路圖；D. GHZ糾纏制備的量子線路圖 北京大學研究團隊與布里斯托爾大學、丹麥科技大學、奧地利科學院、赫瑞-瓦特大學和西澳大利亞大學科研人員密切合作，在硅基光量子芯片技術(shù)和應(yīng)用方面取得了突破性進展。研究團隊發(fā)展了一種基于微環(huán)諧振腔的高性能集成量子光源，通過硅波導的強四波混頻非線性效應(yīng)，實現(xiàn)了光子全同性優(yōu)于90%、無需濾波后處理的50%觸發(fā)效率的單光子對源，達到了對4組微腔量子光源陣列的相干操控，片上雙光子量子糾纏源的保真度達到了92%。團隊實現(xiàn)了關(guān)鍵的可編程片上雙比特量子糾纏門，可以按照功能需要切換貝爾投影測量和量子比特焊接操作，通過量子態(tài)層析實驗確認了高保真的雙比特糾纏操作。 研究團隊在單一硅芯片上實現(xiàn)了高性能量子糾纏光源、可編程雙比特量子糾纏門，以及可編程單量子比特測量的全功能集成，進而實現(xiàn)了三種核心量子功能模塊——芯片上四光子真糾纏、量子糾纏互換、芯片-芯片間的高保真量子隱形傳態(tài)。通過對兩對糾纏光子對進行量子比特焊接操作，團隊實現(xiàn)并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子糾纏的存在；通過對兩對糾纏光子中各一個光子進行貝爾投影操作，實現(xiàn)了量子糾纏互換功能，使來自不同光子源的光子間產(chǎn)生了量子糾纏；利用兩個芯片間的量子態(tài)傳輸和量子糾纏分布技術(shù)，實現(xiàn)了兩個芯片間任意單量子比特的量子隱形傳態(tài)，達到了近90%的隱形傳態(tài)保真度。 團隊研制的硅基多光子量子芯片尺寸僅占幾平方毫米，比傳統(tǒng)實現(xiàn)方法小了約5-6個數(shù)量級，不僅達到了器件的微型化，同時具備了單片全功能集成、器件編程可控、系統(tǒng)性能優(yōu)越等特點，其中量子隱形傳態(tài)保真度優(yōu)于已報道的其它物理實現(xiàn)方法。多體量子糾纏體系的片上制備與量子調(diào)控技術(shù)，為片上量子物理基礎(chǔ)研究和片上光量子信息處理傳輸、量子計算模擬的應(yīng)用提供了重要基礎(chǔ)。