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本發明提供了一種用于發動機尾氣中的銀摻雜鈣鎂復合儲存還原催化劑及其制備方法和應用，本發明以ZSM?5分子篩顆粒為載體，以可溶性鑭鹽和銀鹽為原料，堿性溶液為共沉淀劑，將La與Ag負載于分子篩顆粒表面，焙燒得到負載第一層的催化劑；將該催化劑置于溶解了氫氧化鈣和氫氧化鎂的丙三醇溶液中，向溶液內滴入氨水再加入硫醛或硫脲等有機物，將Ca、Mg和S負載于已負載有第一層催化劑顆粒的表面，干燥后得負載有兩層活性組分的催化劑顆粒。所述催化劑可同時存儲尾氣中的硫氧化物和氮氧化物氣體，可解決傳統氮氧化物存儲催化劑價格偏高、于含硫尾氣中脫氮效率下降較快等技術問題，且本發明合成工藝簡單，縮短合成周期，降低生產成本。

本發明公開了丁苯羥酸在制備用于防治由植物病原菌引起的植物病害的殺菌劑中的用途，本發明通過室內毒力測定，證明了丁苯羥酸對植物病原真菌具有良好的抑制活性。丁苯羥酸作為殺菌劑，具有高效和低毒的優點，適合于植物病害化學防治的要求。目前大量殺菌劑的使用，導致病原菌的抗藥性增強，而且傳統的殺菌劑對環境污染大、殘留高，直接威脅著人類的食品安全。而丁苯羥酸是一種可降解、無污染、對環境友好的小分子化合物，并且其抗藥性差、對非靶標生物及人畜安全，能夠保證農產品及果蔬的高品質，符合可持續發展的要求，其研究和市場應用前景廣闊。

本發明公開了雙氯芬酸鈉在制備用于防治由植物病原菌引起的植物病害的殺菌劑中的應用，本發明通過室內毒力測定，證明了雙氯芬酸鈉對植物病原真菌具有良好的抑制活性。本發明首次提出將雙氯芬酸鈉作為殺菌劑，具有低毒和高效的優點，適合用于植物病害化學防治的要求。傳統的化學殺菌劑對環境的污染大、殘留高，對食品安全有嚴重威脅。雙氯芬酸鈉是一種環境友好的小分子化合物，可降解、無污染，并且植物病原真菌的抗藥性低、對非靶標

【發 明 人】 唐于平 ; 李念光 ; 段金廒【技術領域】本發明涉及一種藥物，具體涉及帶有一氧化氮供體的芳香酸衍生物在制備治療惡性腫瘤疾病藥物中的應用【摘要】 本發明公開了帶有一氧化氮供體的芳香酸衍生物在制備治療惡性腫瘤疾病藥物中的新應用，本發明通過大量實驗篩選出具有強抗腫瘤活性的帶一氧化氮的阿魏酸或咖啡酸衍生物，實驗結果表明，具有很好的抑制腫瘤細胞生長和能促進腫瘤細胞凋亡的作用，且對多種惡性腫瘤細胞均具有強的殺滅作用，應用范圍更廣泛。尤其是(E)-3-(4-羥基-3-甲氧基苯基)丙烯酸-4-[4-苯磺?；?1,2,5-噁二唑-5-氧-3-氧基]-2-丁酯，(E)-3-(4-羥基-3-甲氧基苯基)丙烯酸-4-[4-苯磺?；?1,2,5-噁二唑-5-氧-3-氧基]-1-丁酯，(E)-3-(4-羥基-3-甲氧基苯基)丙烯酸-2-{2-[4-苯磺?；?1,2,5-噁二唑-5-氧-3-氧基]-乙氧基}乙酯3個化合物顯示出非常強的抗多種腫瘤活性，有望開發成新的抗腫瘤藥物。

國科大物理科學學院路紅亮副教授和宋志朋博士后等人與物理所、高能所等單位科學家合作，利用分子束外延（MBE）方法構筑了單層TiSe2/CuSe/Cu(111)異質結以調控TiSe2的CDW相。

本發明公開了格列本脲在制備用于防治由植物病原菌引起的植物病害的殺菌劑中的用途，本發明通過室內毒力測定，證明了格列本脲對植物病原真菌具有良好的抑制活性。格列本脲作為殺菌劑，具有高效和低毒的優點，適合于植物病害化學防治的要求。目前大量殺菌劑的使用，導致病原菌的抗藥性增強，而且傳統的殺菌劑對環境污染大、殘留高，直接威脅著人類的食品安全。而格列本脲是一種可降解、無污染、對環境友好的小分子化合物，并且其抗藥性差、對非靶標生物及人畜安全，能夠保證農產品及果蔬的高品質，符合可持續發展的要求，其研究和市場應用前景廣闊。

1、解決連續熱壓機多液壓控制系統中難題。2、解決熱壓機板厚控制系統難題。

　此項目榮獲2008年中國石油和化學工業協會技術發明一等獎，并先后獲得國家杰出青年基金、國家自然科學重點基金、863計劃、國家科技支撐計劃等項目支持。授權6項和公開4項發明專利已形成發明專利族。

銅氧化物超導體自從1986年被發現以來，其超導機理一直被本領域科學家高度關注。具有庫侖排斥的兩個電子，為什么在高達160多開爾文（約等于零下113度）下仍然能夠相互吸引形成電子配對，并凝聚成為宏觀的量子相干態，這是橫亙在凝聚態物理領域的一個重大科學問題。2008年至今，鐵基超導體家族的發現和壯大也為超導機理的研究注入了新的活力。隨著研究的深入，從僅有的兩大非常規超導家族出發，實際上人們很難直接得到普遍的規律和共識。如果出現一個除銅基，鐵基之外的第三家族的超導體，這一情況可能得到很大的改善。2019年，美國斯坦福大學小組在介于鐵、銅之間的鎳元素所形成的氧化物Nd1-xSrxNiO2薄膜中發現了9-15 K左右的超導電性，它似乎具有與銅氧化物超導體類似的3d9最外層電子軌道，這為非常規超導機理的研究提供了一個嶄新的平臺?？茖W界非常關心它的超導形成與銅氧化物超導體有何異同，因此在學界迅速掀起了對鎳基超導體研究的熱潮。 超導體內部的單粒子激發需要一定的能量即為超導能隙，這也是超導態為什么能夠在一定溫度下穩定存在的原因。而兩個電子形成配對的內在因素直接決定著超導能隙函數的表現形式。因此探測非常規超導體的機理問題的首要任務是知道超導能隙的函數形式。就鎳基超導體實驗而言，得到Nd1-xSrxNiO2超導薄膜樣品似乎比較困難，因此國際上關于Nd1-xSrxNiO2薄膜的相關實驗還不是很多，許多實驗并不能直接反映超導的能隙函數。最近南京大學聞海虎團隊和聶越峰、潘曉晴團隊通力合作，成功在Nd1-xSrxNiO2超導薄膜樣品中測量到高質量的掃描隧道譜，證明了Nd1-xSrxNiO2中存在兩類超導能隙，一類是V型隧道譜即典型的d波超導能隙，能隙最大值為3.9meV，這一點與銅氧化物超導體及其類似；而另一類是完全能隙形式（full gap）的隧道譜，能隙值為2.35meV，這一點又與銅氧化物不一致，而與鐵基超導體相似。聶越峰實驗組利用分子束外延（MBE）技術制備出高質量的Nd1-xSrxNiO3 (113)薄膜及具有初步超導轉變的Nd1-xSrxNiO2 (112)薄膜，聞?；⑿〗M進行了后續的氫化處理，進一步優化了Nd1-xSrxNiO2 (112)鎳基薄膜的超導轉變溫度及表面平整度，這是實驗能夠獲得成功的關鍵因素之一。這一結果揭示了Nd1-xSrxNiO2超導體的能隙函數，發現與銅氧化物之間既有相似之點也有不同之處，并為接下來繼續對鎳基超導體開展深入研究奠定了堅實的實驗基礎。