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高等教育領域數字化綜合服務平臺
北京中廣上洋科技股份有限公司
北京中廣上洋科技股份有限公司（以下簡稱：中廣上洋）成立于2011年1月11日，注冊資金4711.92萬，是中國領先的廣播電視行業及智慧教育行業解決方案提供商之一。
中廣上洋長期以來專注于視音頻核心技術的創新和研發，持續推進數字媒體技術在廣電、教育、智能科技等行業深入應用，積極推動云計算、大數據、互聯網等專業技術在傳媒領域的快速落地，將傳統廣電所圍繞的“采、編、制、播、存、管、發”制播業務流程，融入到移動化、云端化、社交化的創新業務系統，深化全媒體融合，開創智慧廣電融合發展新未來。
在立足廣電市場的同時，中廣上洋將視音頻核心技術創新性地拓展到智慧教育領域。憑借自身在視音頻編解碼、圖像分析和圖像處理等方面的技術優勢，融合互聯網、大數據、人工智能技術，結合教學實際，深入教學過程，提煉教學關鍵數據，為“教、學、研、管”提供科學依據。在創造優質教學影像的同時，提供更加智能、便捷的產品與解決方案。
擁有出色的技術實力與堅持不懈的努力，中廣上洋自主研發產品連續四年獲得《中國廣播電視設備工業協會科技創新獎》、教育SoBole產品榮獲《中國教育裝備行業協會2018年度推薦產品》。并先后獲得了北京市高新技術企業、中關村高成長企業TOP100等榮譽稱號。
北京中廣上洋科技股份有限公司
2021-01-15
一種基于MODIS三通道加權平均的水汽反演方法
本發明公開了一種基于MODIS三通道加權平均的水汽反演方法，包括以下步驟：S1：對研究區的MOD021KM數據進行預處理；S2：分別計算17、18和19通道的水汽含量；S3：對步驟S2得到的三個不同通道的水汽含量進行加權平均。相比傳統的二通道比值法模型和三通道比值法模型，本發明有效提高了計算精度。
東南大學
2021-04-11
一種用于捕獲循環腫瘤細胞的微流道結構及其制備方法
本發明公開了一種用于捕獲循環腫瘤細胞的微流道結構及其制 造方法，該方法包括：（1）在單晶硅片表面勻膠、光刻得到光刻膠掩膜；（2）基于光刻膠掩膜，使用感應耦合等離子體反應刻蝕技術 ICP 在單晶硅片上刻蝕出微米級別的凹槽及槽內均勻分布的硅微米柱陣 列；（3）在微米柱表面制備納米線陣列；（4）對凹槽進行封裝。按 照本發明，可以獲得一種用于循環腫瘤細胞檢測的微納復合微流道結 構，這種檢測結構具有靈敏度高、效率高等特點。
華中科技大學
2021-04-11
一種用于捕獲循環腫瘤細胞的微流道結構及其制備方法
本發明公開了一種用于捕獲循環腫瘤細胞的微流道結構及其制造方法，該方法包括：（1）在單晶硅片表面勻膠、光刻得到光刻膠掩膜；（2）基于光刻膠掩膜，使用感應耦合等離子體反應刻蝕技術 ICP在單晶硅片上刻蝕出微米級別的凹槽及槽內均勻分布的硅微米柱陣列；（3）在微米柱表面制備納米線陣列；（4）對凹槽進行封裝。按照本發明，可以獲得一種用于循環腫瘤細胞檢測的微納復合微流道結構，這種檢測結構具有靈敏度高、效率高等特點。
華中科技大學
2021-04-14
一種人行橫道線自動檢測分析方法及系統
一種人行橫道線自動檢測分析方法及系統，包括輸入街景的影像，將影像分為訓練組和測試組，利 用訓練組訓練用于檢測人行橫道線的分類器；例如分類器對測試組影像進行人行橫道線的檢測識別，通 過后期處理排除錯誤檢測；利用分類器對訓練組影像進行人行橫道線的檢測識別，并通過后期處理排除 錯誤檢測；根據步驟 4 所得各測試組影像的識別結果和步驟 5 所得各訓練組影像的識別結果分別統計檢 測結果，包括對任一張測試組影像或訓練組影像，依照橫坐標值的不同，對每一個識別
武漢大學
2021-04-14
ZL-034C8通道大小鼠通用型跳臺儀（Plus）
簡單介紹：
學習記憶實驗方法的基礎是條件反射，各種各樣的方法均由此衍化出而來，跳臺法就是其中的一種較常用的方法，該方法的優點是簡便易行，多通道大小鼠通用型跳臺儀（Plus）一次可同時試驗多只動物，即可觀察**對記憶過程的影響，也可觀察對學習的影響，有較高的敏感性，尤適合于初篩**。多通道大小鼠通用型跳臺儀（Plus）具有液晶顯示、設定方便、記數準確、形象直觀、結構緊湊、維護方便、使用安全等特點適合科研和教學使用，是各種增智健腦、提高記憶、抗衰老**和保健品篩選、開發研制必不可少的工具。多通道大小鼠通用型跳臺儀（Plus）用微電腦控制對動物下臺行為有判斷能力，可設定測試時間記錄下臺潛伏期和次數。
詳情介紹：
技術指標1、*長自動記錄時間：120分00秒2、*短自動記錄時間：1秒3、*多記錄實驗數據：60組4、每室*大記錄次數：999999次5、記錄數據有：***、潛伏期、錯誤次數6、8通道獨立開始和停止功能。7、計時**度：0.01秒8、時鐘設定項目：年、月、日、時、分、秒9、通道設置：1~8通道任意設置10、刺激電流：8通道獨立可條調，刺激范圍0.1~5mA,步長0.111、輸入電壓：交流，200V-230V 50Hz12、消耗功率：30W13、工作環境溫度：0-40℃14、帶USB數據導出功能15、可連小鼠跳臺箱（八室，每室110×110×160mm），或大鼠跳臺箱（八室，每室200×200×290mm）
安徽耀坤生物科技有限公司
2022-05-26
一種基于光學天線的片上無線光通信系統
本發明公開了一種基于光學天線的片上無線光通信系統，現有關于光學頻段天線的發明與研究多是基于諸如透鏡、反射鏡等傳統光學器件，這些設計只適用于較大的光學范圍。本發明利用金屬光學天線自身的定向輻射特性，采用片上系統集成的方式，將光學天線發射基站、反射單元、光學天線中繼單元以及光學天線接收終端構成基于光學天線的片上無線光通信系統。該系統能夠大大降低通信網絡中器件的串擾與功耗，同時使得系統空間響應大大減小達到亞波長量級，進而提高整個光纖通信網絡的傳輸帶寬與響應速度。
浙江大學
2021-04-11
一種光伏太陽能硅片上料設備及其系統
本實用新型公開了一種光伏太陽能硅片上料設備，包括：機架；安裝在機架上用于將硅片沿著 X 軸方向輸送路徑可調換方向地輸送至下位機的硅片輸送機構；分別設置在輸送路徑的兩側用于貯存硅片的料盒；處于輸送路徑的上方，通過 Y 軸和 Z 軸方向的移動拾取硅片并將其釋放至輸送路徑上執行輸送的機械手，該機械手還具備硅片分離裝置，由此在拾取硅片的過程中使得相鄰硅片予以分離以便逐一拾取；用于對整體工況提供控制指令的電氣控制系統；以及根據電氣控制系統的控制指令對相應功能元件執行驅動的氣動模塊。本實用新型還公開了相應的上料系統。通過本實用新型，能夠取得上料效率高、降低硅片破損率以及靈活設定傳送方向等方面的優點。
華中科技大學
2021-04-11
借助石墨烯實現Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長
北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。
北京大學
2021-04-11
提高金屬零件上耐蝕性能的高溫鎰系磷化技術
該項目針對 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四種含銘、線合金鋼難磷 化及磷化膜耐蝕性能低的實際生產難題，深入研究磷化膜的形成過程和磷化機理, 探討含銘、線合金鋼難磷化的內在原因；通過工藝優化，開發出了解決上面4 種合金難磷化問題的高溫鎰系黑色磷化新技術，開發了新工藝，應用于某廠，建 成了年處理各類零件1200萬件的磷化生產線一條，使廢品率由原來的8~10%降 低為現在的0.5%以內。每年產生直接經濟效益近600萬元，節約成本150萬元。
重慶大學
2021-04-11