磁存儲芯片采用電子的自旋屬性存儲信息，具有高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區、高可靠和兼容晶體管工藝等優勢，該芯片制造僅需增加極少量光罩層及磁工藝設備，有制造成本優勢，被廣泛認為是下一代非易失存儲芯片的理想選擇之一。此外，其存儲單元天然可抵抗空間粒子輻照，在航空航天、機載車載、工業電子等領域被廣泛應用。

磁存儲芯片技術針對磁矩翻轉原理已發展了三個技術代，其中第一代磁存儲芯片可靠性極高，主要用于航空航天領域，但是該款磁存儲芯片的宇航級產品被限制僅能在美國境內生產，且對我國嚴格禁運；第二代磁存儲芯片密度極高，國際晶圓代工廠巨頭企業均已宣布量產，該款磁存儲芯片已廣泛應用于服務器、智能穿戴等領域，然而其技術專利基本被國外廠商壟斷，國內企業難以破局；第三代磁存儲芯片技術兼具第一代的可靠性和第二代的微縮優勢，該技術正處于量產驗證階段，在當前西方國家限制我國18納米及以下的動態隨機存儲器、128層及以上的閃存等高端存儲發展的局勢下，我國亟需大力發展最新一代磁存儲芯片技術，實現高可靠磁存儲芯片的自主可控研發和生產，從而保障我國航空航天、空間站、深空探測、人工智能等技術的發展。此外，在傳統存儲芯片被美國徹底制裁后，新型存儲芯片技術的自主發展會成為我國突破高端存儲器技術封鎖的最后一絲希望。

致真存儲（北京）科技有限公司成立于2019年，致力于高性能磁存儲芯片的研發和生產。團隊創始成員包括國內外知名高校的多名博士，成員曾主持設計并量產了世界首款28納米制程第二代磁存儲芯片，研發團隊中研究生學歷占80%。團隊在第三代新型磁存儲器設計、材料、結構、工藝等領域已累計申請逾百項發明專利，在該領域的發明專利數在企業中居世界前五。先后獲得創客2022海淀區特等獎第一名、北京市“專精特新”中小企業、全國顛覆性技術創新大賽優勝獎、國高新等獎勵或資質；陸續獲得中科創星、普華資本、海康慧海、中國互聯網投資基金等投資人近億元股權投資。

團隊已調通8英寸自旋芯片后道工藝研發平臺，256Kb封裝芯片已給目標客戶送樣，外圍電路全功能1Mb芯片成功回片，8英寸自旋芯片生產線已于2024年5月份開工，預計于2025年底通線并量產出貨，該芯片有望廣泛替代對我國禁運的第一代磁存儲芯片，并為12英寸先進工藝的磁存儲芯片技術攻堅夯實技術和人才基礎。