晶體生長的石英坩堝鍍碳膜方法與裝置

新材料及其應用

一種晶體生長的石英坩堝鍍碳膜方法，工藝步驟為石英坩堝的處理、裝爐、加熱、 鍍膜、膜層退火。石英坩堝的處理包括清洗與烘干，裝爐是將清洗并烘干后的石英坩堝 與組成鍍膜裝置的部件進行組裝，加熱是將裝有石英坩堝的沉淀室加熱至1000℃～ 1060℃，然后在該溫度保溫并向石英坩堝和沉淀室內通高純惰性氣體排除殘余空氣，鍍 膜是通惰性氣體結束后，繼續在1000℃～1060℃保溫，并在此溫度向石英坩堝內通甲烷 氣體，使石英坩堝內壁上沉積符合要求厚度的碳膜，鍍膜結束后，繼續在1000℃～1060℃ 保溫40分鐘～60分鐘，然后緩慢冷卻至室溫。鍍碳膜裝置包括加熱爐、放置被鍍膜石 英坩堝的沉淀室和供氣控制器。

未應用