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一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制備方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.6gsl1hl.xyz
關鍵詞：
半導體存儲器件
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制
備方法。該制備方法適用于制備三維半導體存儲器的 U 型溝道：采用
雙離子束沉積技術，一束離子轟擊靶材，使材料原子發生溢出，原子
沿軌跡沉積到深孔中，一束離子轟擊深孔表面，使沉積的材料無法覆
蓋深孔頂部，從而確保三維半導體存儲器件 U 型溝道的完整形成。U
型溝道的半導體存儲器件的電極從器件上方引出，減小了電極的接觸
面積，同時U型半導體存儲器件的NAND串可以包
項目階段:
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