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一種基于碳化硅的半導體斷路開關及其制備方法
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種基于碳化硅的半導體斷路開關的制備方法，
包括以下步驟：以碳化硅作為 N<sup>+</sup>襯底，在其上依次外延
生長摻磷的 N 基區、摻鋁的 P 基區以及摻硼的重摻雜 P<sup>+</sup>
區；在所形成的器件兩端分別加工形成陰極電極和陽極電極；采用機
械切割斜角的方法執行臺面造型和涂膠保護，由此完成半導體斷路開
關的制備過程；本發明還公開了采用該方法制得的兩
項目階段:
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