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大容量碳化硅電力電子產品研發(fā)及產業(yè)化
所屬領域:
項目成果/簡介:
已有樣品/n在微電子所的技術支持和協(xié)助下，株洲中車時代電氣股份有限公司國內首條6
英寸碳化硅（SiC）芯片生產線順利完成技術調試，廠務、動力、工藝、測試條件
均已完備，可實現4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發(fā)與制造。
與其他半導體材料相比，SiC 具有寬禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿
場強，以及高熱導率等優(yōu)異物理特點，是新一代半導體電力電子器件領域的重要發(fā)
展趨勢。
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