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3D?NAND?存儲器研發
2021-01-12 00:00:00
云上高博會
http://www.6gsl1hl.xyz
關鍵詞：
存儲器
所屬領域:
項目成果/簡介:
已有樣品/n3D NAND 是革新性的半導體存儲技術，通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺
寸實現存儲密度增長，從而拓寬了存儲技術的發展空間，但其結構的高度復雜性給
工藝制造帶來全新的挑戰。經過不懈努力，工藝團隊攻克了高深寬比刻蝕、高選擇
比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關鍵技術難
點，為實現多層堆疊結構的3D NAND 陣列打下堅實基礎。
項目階段:
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